[發明專利]消影增透導電玻璃

在審

• 申請號: 201611188163.2
• 申請日: 2017-01-23
• 公開（公告）號: CN106587655A
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 彭壽;李剛;楊勇;姚婷婷;金克武
• 申請（專利權）人: 蚌埠玻璃工業設計研究院;中國建材國際工程集團有限公司
• 主分類號: C03C17/34
• 分類號: C03C17/34;G06F3/041
• 代理公司: 安徽省蚌埠博源專利商標事務所34113
• 代理人: 陳俊

技術領域

本發明涉及觸摸屏技術領域，具體是一種用于電容式觸摸屏的消影增透導電玻璃。

背景技術

電容式觸摸屏用的ITO玻璃是一種透明導電玻璃，這是由玻璃上加一層透明導電膜而構成，其工藝是在超薄玻璃（0.33mm-1.1mm）上通過物理沉積的方式沉積氧化銦錫透明導電膜。液晶顯示器專用ITO導電玻璃，還會在鍍ITO層之前，鍍上一層二氧化硅阻擋層，以阻止基片玻璃上的鈉離子向盒內液晶里擴散。

通常電容式觸摸屏使用單面ITO鍍膜玻璃，經過刻蝕將透明導電膜做成透明電極。但是由于導電膜的折射率與觸摸屏基板的折射率不同，如ITO膜折射率一般為1.9～2.0（550nm附近），玻璃基板的折射率約為1.5（550nm附近），導致顯示區內電極與縫隙的反射與透射有較大區別，使電極與縫隙清晰可見，影響顯示效果和外觀；而且觸摸屏尺寸越大，ITO電極膜層厚度和電極寬度越大，電極與縫隙的視覺差距越明顯；而且在光線比較明亮的環境中特別是背后有窗戶、燈光的環境中，屏幕會由于ITO電極的反射光太強而無法看清。

解決此問題的方法有兩種，第一種是采用減少縫隙的方法來降低電極與縫隙之間的視覺差距，這種消影方法受光刻設備的限制，一般適用于小尺寸的觸摸屏，對于20英寸以上屏幕的觸摸屏如采用微小縫隙的方法，設備投資與制造成本高、產品合格率低。

因此，為了消除ITO底影，有人采用第二種方法，即在玻璃基板上，先將五氧化二鈮等高折射率材料通過磁控濺射鍍到玻璃基板表面，然后再覆上SiO₂等低折射率材料層，最后再覆上ITO層。但是這種方法僅單面采用兩層介質層來達到消影效果的膜系結構，其表面的ITO面電阻一般會比較高，如果降低面電阻，則會使整體透過率降低，而且很難達到滿意的消影效果，因此這種結構的ITO玻璃，其面電阻一般在60Ω/□以上，不太適合對線性電阻要求較高的電容式觸摸屏。

發明內容

本發明的目的在于提供一種消影增透導電玻璃，該導電玻璃面電阻低、透過率高，使觸摸屏具有良好的顯示效果。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：

消影增透導電玻璃，包括玻璃基板，玻璃基板頂面由下至上依次層疊有上TiO₂膜層、上SiO₂膜層與ITO膜層，ITO膜層蝕刻有電極圖案；玻璃基板底面由上至下依次層疊有第一下TiO₂膜層、第一下SiO₂膜層、第二下TiO₂膜層與第二下SiO₂膜層；所述上TiO₂膜層的厚度為5～10nm、上SiO₂膜層的厚度為40～60nm、ITO膜層的厚度為20～40nm；所述第一下TiO₂膜層的厚度為12～18nm、第一下SiO₂膜層的厚度為25～35nm、第二下TiO₂膜層的厚度為95～135nm、第二下SiO₂膜層的厚度為70～100nm。

進一步的，所述玻璃基板的厚度為0.3～1.1mm。

本發明的有益效果是，利用折射率不同的上TiO₂膜層與上SiO₂膜層起到消影作用，玻璃基板底部交錯的四層介質層起到減反増透的效果，并由各膜層厚度的配合，一方面可提高產品的透過率，減少反射率，使得觸摸屏在強光下也可以清晰的顯示；另一方面，在保證和提高現有功能的前提下，使得ITO膜層的面電阻向更低的方向發展，可獲得60Ω/□以下的產品，從而得到光電性能更加優良的電容式觸摸屏。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本發明進一步說明：

圖1是發明的結構示意圖；

圖2是本發明中ITO膜層蝕刻前后的可見光透射光譜對比圖；

圖3是是發明中ITO膜層蝕刻前后的可見光反射光譜對比圖。

具體實施方式