[發明專利]消影增透導電玻璃在審
| 申請號： | 201611188163.2 | 申請日： | 2017-01-23 |
| 公開（公告）號： | CN106587655A | 公開（公告）日： | 2017-04-26 |
| 發明（設計）人： | 彭壽;李剛;楊勇;姚婷婷;金克武 | 申請（專利權）人： | 蚌埠玻璃工業設計研究院;中國建材國際工程集團有限公司 |
| 主分類號： | C03C17/34 | 分類號： | C03C17/34;G06F3/041 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源專利商標事務所34113 | 代理人： | 陳俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 消影增透 導電 玻璃 | ||
【權利要求書】：
1.消影增透導電玻璃，其特征在于，包括玻璃基板，玻璃基板頂面由下至上依次層疊有上TiO2膜層、上SiO2膜層與ITO膜層，ITO膜層蝕刻有電極圖案；玻璃基板底面由上至下依次層疊有第一下TiO2膜層、第一下SiO2膜層、第二下TiO2膜層與第二下SiO2膜層；所述上TiO2膜層的厚度為5～10nm、上SiO2膜層的厚度為40～60nm、ITO膜層的厚度為20～40nm；所述第一下TiO2膜層的厚度為12～18nm、第一下SiO2膜層的厚度為25～35nm、第二下TiO2膜層的厚度為95～135nm、第二下SiO2膜層的厚度為70～100nm。
2.根據權利要求1所述的消影增透導電玻璃，其特征在于，所述玻璃基板的厚度為0.3～1.1mm。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蚌埠玻璃工業設計研究院;中國建材國際工程集團有限公司，未經蚌埠玻璃工業設計研究院;中國建材國際工程集團有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611188163.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
