[發(fā)明專利]一種化學(xué)機(jī)械研磨后的清洗方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611187148.6
• 申請(qǐng)日: 2016-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN108206129A
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/768
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種化學(xué)機(jī)械研磨后的清洗方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供化學(xué)機(jī)械研磨后的待清洗晶圓，所述晶圓具有設(shè)有開口的絕緣層以及填充在所述開口內(nèi)的銅，所述化學(xué)機(jī)械研磨的步驟用于去除所述絕緣層上的銅；

用包含硫酸銅和雙氧水的混合溶液作為清洗液沖洗所述晶圓，以去除所述晶圓表面的因所述化學(xué)機(jī)械研磨所產(chǎn)生的有機(jī)物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述用包含硫酸銅和雙氧水的混合溶液作為清洗液沖洗所述晶圓的步驟后，所述方法還包括去除所述晶圓表面的顆粒的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述硫酸銅和雙氧水的體積混合比為4:1-6:1。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在用包含硫酸銅和雙氧水的混合溶液作為清洗液沖洗所述晶圓表面的同時(shí)，用去離子水沖洗所述晶圓背面。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述去除所述晶圓表面的顆粒的方法包括使所述晶圓旋轉(zhuǎn)，并用毛刷擦洗所述晶圓。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述提供化學(xué)機(jī)械研磨后的待清洗晶圓的步驟后，在所述清洗液沖洗所述晶圓的步驟之前，所述方法還包括用去離子水和檸檬酸的混合溶液沖洗所述晶圓表面的步驟。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在所述提供化學(xué)機(jī)械研磨后的待清洗晶圓的步驟后，在所述用去離子水和檸檬酸的混合溶液沖洗所述晶圓表面的步驟前，所述方法還包括利用去離子水的超聲波沖洗所述晶圓的步驟。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在所述提供化學(xué)機(jī)械研磨后的待清洗晶圓的步驟后，在所述利用去離子水的超聲波沖洗所述晶圓的步驟前，所述方法還包括用去離子水沖洗所述晶圓的正面和背面的步驟。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在所述去除所述晶圓表面的顆粒的步驟后，所述方法還包括用去離子水沖洗所述晶圓的正面和背面，然后使所述晶圓甩干的步驟。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述晶圓的轉(zhuǎn)速為20rpm/min‐25rpm/min。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述化學(xué)機(jī)械研磨的步驟中，所用的研磨液為二氧化硅研磨液。