[發明專利]頻率可重構偶極子天線的GaAs基等離子pin二極管的制備方法

在審

• 申請號: 201611184782.4
• 申請日: 2016-12-20
• 公開（公告）號: CN106876873A
• 公開（公告）日: 2017-06-20
• 發明（設計）人: 尹曉雪;張亮
• 申請（專利權）人: 西安科銳盛創新科技有限公司
• 主分類號: H01Q1/22
• 分類號: H01Q1/22;H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q5/321;H01L21/84;H01L21/329
• 代理公司: 西安智萃知識產權代理有限公司61221
• 代理人: 劉長春

1.一種頻率可重構偶極子天線的GaAs基等離子pin二極管的制備方法，所述GaAs基等離子pin二極管用于制造所述頻率可重構偶極子天線，其特征在于，所述頻率可重構偶極子天線包括：GaAs基GeOI半導體基片(1)；采用半導體工藝固定在所述GaAs基GeOI半導體基片(1)上的第一天線臂(2)、第二天線臂(3)、同軸饋線(4)和第一直流偏置線(5)、第二直流偏置線(6)、第三直流偏置線(7)、第四直流偏置線(8)、第五直流偏置線(9)、第六直流偏置線(10)、第七直流偏置線(11)、第八直流偏置線(12)；其中，所述第一天線臂(2)和所述第二天線臂(3)分別設置于所述同軸饋線(4)的兩側且包括多個GaAs基等離子pin二極管串，在天線處于工作狀態時，所述第一天線臂(2)和所述第二天線臂(3)根據所述多個GaAs基等離子pin二極管串的導通與關斷實現天線臂長度的調節；所述第一直流偏置線(5)，所述第二直流偏置線(6)，所述第三直流偏置線(7)，所述第四直流偏置線(8)，所述第五直流偏置線(9)，所述第六直流偏置線(10)，所述第七直流偏置線(11)，所述第八直流偏置線(12)采用化學氣相淀積的方法固定于所述GaAs基GeOI半導體基片(1)上，其材料為銅、鋁或經過摻雜的多晶硅中的任意一種；

其中，所述GaAs基等離子pin二極管的制備方法包括：

選取某一晶向的GeOI襯底；

在所述GeOI襯底上淀積GaAs層，通過光刻工藝形成隔離區；

刻蝕所述GeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽；

在所述P型溝槽和所述N型溝槽內采用離子注入形成P型有源區和N型有源區；

光刻所述P型有源區和所述N型有源區，形成P型接觸區和N型接觸區；

在所述P型接觸區和所述N型接觸區光刻引線孔以形成引線，以完成所述GaAs基等離子pin二極管的制備。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述GeOI襯底表面利用MOCVD淀積GaAs層。

3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，通過光刻工藝形成隔離區，包括：

在所述GaAs表面形成第一保護層；

利用光刻工藝在所述第一保護層上形成第一隔離區圖形；

利用干法刻蝕工藝在所述第一隔離區圖形的指定位置處刻蝕所述第一保護層及所述GeOI襯底以形成隔離槽，且所述隔離槽的深度大于等于所述襯底的頂層Ge的厚度；

填充所述隔離槽以形成所述隔離區。

4.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述第一保護層包括第一SiO₂層和第一SiN層；相應地，在所述GaAs表面形成第一保護層，包括：

在所述GaAs表面生成SiO₂材料以形成第一SiO₂層；

在所述第一SiO₂層表面生成SiN材料以形成第一SiN層。

5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，刻蝕所述GeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽，包括：

在所述GeOI襯底表面形成第二保護層；

利用光刻工藝在所述第二保護層上形成第二隔離區圖形；

利用干法刻蝕工藝在所述第二隔離區圖形的指定位置處刻蝕所述第二保護層及所述GeOI襯底以形成所述P型溝槽和所述N型溝槽。

6.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述第二保護層包括第二SiO₂層和第二SiN層；相應地，在所述GeOI襯底表面形成第二保護層，包括：

在所述GeOI襯底表面生成SiO₂材料以形成第二SiO₂層；

在所述第二SiO₂層表面生成SiN材料以形成第二SiN層。