[發(fā)明專利]具有吸收增強(qiáng)結(jié)構(gòu)的II類超晶格光電探測(cè)器及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611180940.9 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106684180B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-09-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宋國(guó)峰;吳浩越;李健;江宇;于海龍;付東;徐云;朱海軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0352 | 分類號(hào): | H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 任巖 |
| 地址: | 100083 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 吸收 增強(qiáng) 結(jié)構(gòu) ii 晶格 光電 探測(cè)器 及其 制備 方法 | ||
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
- 增強(qiáng)片及增強(qiáng)方法
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- 增強(qiáng)片、增強(qiáng)構(gòu)件、增強(qiáng)套件、增強(qiáng)片的制造方法及增強(qiáng)構(gòu)件的制造方法
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