[發明專利]OLED顯示裝置及其制作方法有效
| 申請號: | 201611179978.4 | 申請日: | 2016-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN106601775B | 公開(公告)日: | 2019-07-02 |
| 發明(設計)人: | 湯金明;倪晶 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示裝置 及其 制作方法 | ||
本發明提供一種OLED顯示裝置及其制作方法,通過在紅、綠、藍色OLED器件的陽極層中分別設置第一、第二、第三透明半導體層,并且將所述第一、第二、第三透明半導體層設置為不同的厚度來實現紅、綠、藍色OLED器件的發光效率分別達到最佳,所述第一、第二、第三透明半導體層通過利用三道掩膜板進行等離子體增強化學氣相沉積的方法沉積形成,與傳統的OLED顯示裝置相比,本發明中分別設置于紅、綠、藍色OLED器件中的空穴傳輸層的厚度相等,可以采用一道普通金屬掩膜板在同一道蒸鍍制程中形成,由于利用FMM沉積無機膜的技術相對于沉積有機膜的技術更成熟且有更高的良率,所以從總體來講,本發明的技術方案具有明顯的制程優勢。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種OLED顯示裝置及其制作方法。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)顯示器,也稱為有機電致發光顯示器,是一種新興的平板顯示裝置,由于其具有自發光、驅動電壓低、發光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬,可實現柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優點,被業界公認為是最有發展潛力的顯示裝置。其優越性能和巨大的市場潛力,吸引了全世界眾多廠家和科研機構投入到OLED顯示面板的生產和研發中。
OLED器件通常包括:基板、設于基板上的陽極、設于陽極上的空穴注入層、設于空穴注入層上的空穴傳輸層、設于空穴傳輸層上的發光層、設于發光層上的電子傳輸層、設于電子傳輸層上的電子注入層、及設于電子注入層上的陰極。OLED器件的發光原理為半導體材料和有機發光材料在電場驅動下,通過載流子注入和復合導致發光。具體的,在一定電壓驅動下,電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子傳輸層和空穴傳輸層,電子和空穴分別經過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發光層,并在發光層中相遇,形成激子并使發光分子激發,后者經過輻射弛豫而發出可見光。
為了制備具有窄帶發射的OLED顯示面板,人們通過改變OLED顯示面板的結構,制備OLED顯示面板的法布里-珀羅(Fabry-Perot)光學微腔來獲得高亮度的窄帶發射。光學微腔不僅實現了窄帶發射,而且還使得發射強度相對于無微腔結構的器件而言大大增強。常規的Fabry-Perot光學微腔結構需要兩個反射鏡面,一般采用金屬-金屬結構,因此Fabry-Perot光學微腔結構的微腔總光程受制于OLED顯示面板中有機膜層的厚度及折射率。
具體的,對于全彩顯示OLED顯示裝置來說,為了使紅、綠、藍色OLED器件分別達到最優化的發光效率,一般將不同顏色OLED器件中的空穴傳輸層設置為不同的厚度,來調節紅、綠、藍光的光程,利用Fabry-Perot共振原理計算出最佳光程,使紅、綠、藍色發光層分別位于第二反波節的位置,從而發光效率達到最大。這就要求所述紅、綠、藍色OLED器件的空穴傳輸層需要采用三道不同的精密金屬掩膜板(FMM,Fine Metal Mask)并且通過三道蒸鍍制程制備,從而增加了生產成本并延長了制程時間,同時由于制程的復雜性導致產品良率降低。
發明內容
本發明的目的在于提供一種OLED顯示裝置,能夠實現紅、綠、藍色OLED器件的發光效率分別達到最佳,并且制程工藝成熟,能夠降低成本,提高產品良率。
本發明的目的還在于提供一種OLED顯示裝置的制作方法,能夠實現紅、綠、藍色OLED器件的發光效率分別達到最佳,并且制程工藝成熟,能夠降低成本,提高產品良率。
為實現上述目的,本發明提供一種OLED顯示裝置,包括基板、以及數個陣列排布于所述基板上的紅色OLED器件、綠色OLED器件及藍色OLED器件;
所述紅色OLED器件、綠色OLED器件及藍色OLED器件均包括在所述基板上從下到上依次設置的第一透明導電金屬氧化物層、金屬層、透明半導體層、第二透明導電金屬氧化物層、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層及陰極層;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





