[發明專利]浪涌保護電路、電磁加熱裝置以及家用電器在審
| 申請號: | 201611178701.X | 申請日: | 2016-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN108207046A | 公開(公告)日: | 2018-06-26 |
| 發明(設計)人: | 馬志海;王志鋒;馮江平;區達理;劉志才 | 申請(專利權)人: | 佛山市順德區美的電熱電器制造有限公司 |
| 主分類號: | H05B6/06 | 分類號: | H05B6/06 |
| 代理公司: | 北京潤平知識產權代理有限公司 11283 | 代理人: | 金旭鵬;肖冰濱 |
| 地址: | 528311 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 壓敏電阻 浪涌保護電路 吸收電容 扼流圈 電磁加熱裝置 浪涌 家用電器 電路技術領域 峰值電壓 輸入端 并聯 串聯 交流 | ||
本發明涉及電路技術領域,公開了一種浪涌保護電路、電磁加熱裝置以及家用電器。該浪涌保護電路包括:扼流圈、壓敏電阻以及吸收電容,其中扼流圈和壓敏電阻串聯在交流的兩個輸入端之間,吸收電容與壓敏電阻并聯,以及壓敏電阻的兩端之間接負載。通過上述技術方案,利用扼流圈將浪涌峰值拉低,同時壓敏電阻能夠拉低吸收電容兩端的峰值電壓,從而使得浪涌峰值在通過有扼流圈、壓敏電阻和吸收電容組成的浪涌保護電路之后得到有效降低。
技術領域
本發明涉及電路技術領域,具體地,涉及一種浪涌保護電路、電磁加熱裝置以及家用電器。
背景技術
在電磁加熱系統中,浪涌對絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate BipolarTransistor,IGBT),橋堆,儲能電容有巨大損傷風險。因浪涌對器件的損壞占比電磁加熱系統維修比例約1/2。
圖1示出了現有技術中提供的一種帶有浪涌保護電路的電路。如圖1所示,交流的兩個輸入端之間并聯壓敏電阻RZ131和吸收電容C131,然后分別連接橋堆U1的兩個交流輸入端。橋堆U1的兩個輸出端之間并聯濾波電容C101,橋堆U1的一個輸出端連接扼流圈L101,另一個輸出端連接康銅絲RC101,扼流圈L101和康銅絲RC101的自由端之間并聯儲能電容C102和電磁加熱電路,該電磁加熱電路包括與并聯的線圈盤L102和諧振電容串聯的功率器件IGBT。
圖2示出了圖1中所示的電路中多個取樣點在存在浪涌情況下的電壓波形。其中,(1)為浪涌波形;(2)/(2.1)為浪涌經過壓敏電阻RZ131以及吸收電容C131處理后的到達橋堆U1的波形,峰值小于波形(1);(2.3)/(2.4)為浪涌經過橋堆U1后的波形,峰值等于波形(2)和(2.1)減去橋堆壓差;(3)為浪涌經過扼流圈L101到達儲能電容C102的波形;(3.1)為浪涌前半部分,因扼流圈L101隔交通直效應,使得該半部分峰值電壓低于波形(2.3)或者波形(2.4)峰值;(3.2)為浪涌后半部分,因扼流圈L101和儲能電容C102組成一升壓電路,使得儲能電容C102的電位迅速抬升,峰值高于(2.3)和(2.4)峰值,甚至高于(1)的電位峰值。這種高壓峰值,對后級器件可靠性造成一定潛在損傷。
因此,如何降低浪涌對器件沖擊成為本領域中亟待解決的問題。
發明內容
本發明的目的是提供一種設備,該設備能夠有效消除浪涌沖擊,保護后端電路。
為了實現上述目的,本發明提供一種浪涌保護電路,該浪涌保護電路包括:第一扼流圈、壓敏電阻以及第一電容,其中所述第一扼流圈和所述壓敏電阻串聯在交流的兩個輸入端之間,所述第一電容與所述壓敏電阻并聯,以及所述壓敏電阻的兩端之間接負載。
可選的,該浪涌保護電路還包括第二扼流圈,其中所述第一扼流圈、所述壓敏電阻和所述第二扼流圈依次串聯在所述交流的兩個輸入端之間。
可選的,所述第一扼流圈串聯在所述交流的火線輸入端與所述壓敏電阻之間。
可選的,該浪涌保護電路還包括保險管,該保險管串聯在所述第一扼流圈與所述交流的火線輸入端之間。
可選的,所述第一扼流圈串聯在所述交流的零線輸入端與所述壓敏電阻之間。
本發明的另一個方面,提供了一種電磁加熱裝置,該電磁加熱裝置包括上述的浪涌保護電路、橋堆以及電磁發生電路,其中所述壓敏電阻的兩端分別連接所述橋堆的兩個輸入端,所述橋堆的兩個輸出端之間串聯第二電容;
其中所述電磁發生電路包括:所述第二電容、第三電容、第四電容、線圈盤、康銅絲以及功率器件,其中所述橋堆的一個輸出端連接所述康銅絲,所述橋堆的另一個輸出端和所述康銅絲的自由端之間串聯所述第三電容;所述第四電容與所述功率器件串聯在所述第三電容的兩端之間,所述線圈盤與所述第四電容并聯。
可選的,所述第一電容的電容值小于所述第三電容的電容值。
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