[發(fā)明專(zhuān)利]一種MEMS器件及其制備方法、電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611176621.0
• 申請(qǐng)日: 2016-12-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108203075B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 俞宏俊
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): B81C1/00
• 分類(lèi)號(hào): B81C1/00;B81B7/02
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 高偉;馮永貞

1.一種MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括：

基底；

振膜，位于所述基底的上方；

背板，位于所述振膜的上方；

空腔，位于所述振膜和所述背板之間；

其中，在與所述振膜相對(duì)的所述背板的表面上形成有若干向所述振膜方向延伸的停止結(jié)構(gòu)，所述停止結(jié)構(gòu)呈中空的環(huán)形形狀，其中，從所述背板的中心區(qū)域向所述背板的邊緣區(qū)域所述停止結(jié)構(gòu)的設(shè)置密集程度逐漸增加。

2.根據(jù)權(quán)利要求 1所述的MEMS器件，其特征在于，所述背板中形成有若干聲孔，以露出所述振膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求 1所述的MEMS器件，其特征在于，所述基底中形成有背腔，以露出部分所述振膜。

4.一種MEMS器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底，在所述基底上形成有圖案化的振膜；

在所述振膜上形成犧牲層，以覆蓋所述振膜；

圖案化所述犧牲層，以在所述犧牲層上形成若干相互間隔的環(huán)形凹槽；

在所述犧牲層上形成背板，以覆蓋所述犧牲層，同時(shí)填充所述環(huán)形凹槽，以在所述背板的表面形成停止結(jié)構(gòu)；其中，從所述背板的中心區(qū)域向所述背板的邊緣區(qū)域所述停止結(jié)構(gòu)的設(shè)置密集程度逐漸增加。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，圖案化所述犧牲層的步驟包括：

在所述基底和所述振膜上形成犧牲層，以覆蓋所述振膜；

在所述犧牲層上形成圖案化的掩膜層，在所述掩膜層中形成有環(huán)形凹槽圖案；

以所述掩膜層為掩膜蝕刻所述犧牲層，以在所述犧牲層形成所述環(huán)形凹槽。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法還進(jìn)一步包括：

圖案化所述背板，以在所述背板中形成聲孔并露出所述犧牲層；

去除所述犧牲層，以在所述背板和所述振膜之間形成空腔并露出所述停止結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法還進(jìn)一步包括圖案化所述基底的背面，以在所述基底中形成背腔并露出部分所述振膜。

8.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括權(quán)利要求1至3之一所述的MEMS器件。