[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611165780.0
• 申請(qǐng)日: 2016-12-16
• 公開（公告）號(hào): CN108206137A
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高金字;王崇旭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中華映管股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/28;H01L29/786;H01L29/417
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管及其制造方法。薄膜晶體管的制造方法包括下列步驟：在基板上形成柵極；形成絕緣層，以覆蓋柵極；在絕緣層上形成具有相對(duì)的第一區(qū)與第二區(qū)的半導(dǎo)體圖案；形成多個(gè)島狀圖案，至少部分的多個(gè)島狀圖案配置于半導(dǎo)體圖案上，多個(gè)島狀圖案彼此分離且彼此之間存在間隙；形成源極與漏極，覆蓋部分的多個(gè)島狀圖案且填入間隙，以分別與半導(dǎo)體圖案的第一區(qū)及第二區(qū)電性連接。本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法能制造出尺寸小且電性佳的薄膜晶體管，且本發(fā)明的薄膜晶體管尺寸小且電性佳。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體組件及其制造方法，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制造方法。

背景技術(shù)

具有蝕刻阻擋層的薄膜晶體管包括第一種薄膜晶體管與第二種薄膜晶體管。第一種薄膜晶體管的制造方法包括下列步驟：在基板上形成柵極；形成絕緣層，以覆蓋柵極；在絕緣層上形成半導(dǎo)體圖案；形成蝕刻阻擋層，以覆蓋半導(dǎo)體圖案及絕緣層；于蝕刻阻擋層形成多個(gè)接觸孔，以分別暴露半導(dǎo)體圖案的兩端；形成源極與漏極，填入多個(gè)接觸孔，以分別與半導(dǎo)體圖案的兩端電性連接。為了使源極與漏極能與半導(dǎo)體圖案的兩端電性連接，勢(shì)必要在蝕刻阻擋層中形成暴露源極與漏極多個(gè)接觸孔。受限于接觸孔的制程精度的限制，多個(gè)接觸孔之間必須相隔一段距離，以免多個(gè)接觸孔因制程誤差而相連通。然而，此段距離使得薄膜晶體管的通道長(zhǎng)度無(wú)法進(jìn)一步縮短，而不利于薄膜晶體管的尺寸縮小。第二種薄膜晶體管的制造方法包括下列步驟：在基板上形成柵極；形成絕緣層，以覆蓋柵極；在絕緣層上形成半導(dǎo)體圖案；形成蝕刻阻擋層，以暴露半導(dǎo)體圖案的兩端；形成源極與漏極，分別覆蓋半導(dǎo)體圖案的兩端且分別與半導(dǎo)體圖案的兩端電性連接。然而，在形成暴露半導(dǎo)體圖案兩端的蝕刻阻擋層的過(guò)程中，半導(dǎo)體圖案的兩端易被損傷，而影響薄膜晶體管的電性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種薄膜晶體管的制造方法，能制造出尺寸小且電性佳的薄膜晶體管。

本發(fā)明提供一種薄膜晶體管，尺寸小且電性佳。

本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法，包括下列步驟：在基板上形成柵極；形成絕緣層，以覆蓋柵極；在絕緣層上形成具有相對(duì)的第一區(qū)與第二區(qū)的半導(dǎo)體圖案；形成多個(gè)島狀圖案，至少部分的多個(gè)島狀圖案配置于半導(dǎo)體圖案上，多個(gè)島狀圖案彼此分離且彼此之間存在間隙；形成源極與漏極，覆蓋部分的多個(gè)島狀圖案且填入間隙，以分別與半導(dǎo)體圖案的第一區(qū)及第二區(qū)電性連接。

本發(fā)明的薄膜晶體管配置在基板上。薄膜晶體管包括柵極、絕緣層、半導(dǎo)體圖案、多個(gè)第一島狀圖案、多個(gè)第二島狀圖案、源極與漏極。柵極配置在基板上。絕緣層覆蓋柵極。半導(dǎo)體圖案配置于絕緣層上。半導(dǎo)體圖案具有相對(duì)的第一區(qū)與第二區(qū)。多個(gè)第一島狀圖案與多個(gè)第二島狀圖案分別配置于半導(dǎo)體圖案的第一區(qū)及第二區(qū)上。多個(gè)第一島狀圖案彼此分離且彼此之間存在第一間隙。多個(gè)第二島狀圖案彼此分離且彼此之間存在第二間隙。源極覆蓋多個(gè)第一島狀圖案且填入第一間隙，以和半導(dǎo)體圖案的第一區(qū)電性連接。漏極覆蓋多個(gè)第二島狀圖案且填入第二間隙，以和半導(dǎo)體圖案的第二區(qū)電性連接。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述形成多個(gè)島狀圖案的方法包括半沉積法。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述形成每一個(gè)島狀圖案的高度的速率大于0埃/秒且小于或等于10埃/秒。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述形成多個(gè)島狀圖案的方法包括等離子體輔助化學(xué)氣相沉積法，等離子體輔助化學(xué)氣相沉積法所使用的氣體包括硅烷以及氮氧化物，等離子體輔助化學(xué)氣相沉積法的制程參數(shù)包括硅烷的流量介于80sccm至1600sccm、氮氧化物的流量介于5000sccm至65000sccm、射頻功率介于80瓦特至2300瓦特、壓力介于0.4毫巴至0.6毫巴或介于750毫托至1450毫托以及溫度介于攝氏220度至350度。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的多個(gè)島狀圖案隨機(jī)地分布在半導(dǎo)體圖案的第一區(qū)及第二區(qū)上。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的多個(gè)島狀圖案的尺寸不一致。