[發明專利]薄膜晶體管及其制造方法

在審

• 申請號: 201611165780.0
• 申請日: 2016-12-16
• 公開（公告）號: CN108206137A
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發明（設計）人: 高金字;王崇旭
• 申請（專利權）人: 中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/786;H01L29/417
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成柵極；

形成絕緣層，以覆蓋所述柵極；

在所述絕緣層上形成半導體圖案，所述半導體圖案具有相對的第一區與第二區；

形成多個島狀圖案，至少部分的所述多個島狀圖案配置于所述半導體圖案上，所述多個島狀圖案彼此分離且彼此之間存在間隙；以及

形成源極與漏極，覆蓋部分的所述多個島狀圖案且填入所述間隙，以分別與所述半導體圖案的所述第一區及所述第二區電性連接。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，形成所述多個島狀圖案的方法包括半沉積法。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，形成每一個島狀圖案的高度的速率大于0埃/秒且小于或等于10埃/秒。

4.根據權利要求2所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，形成所述多個島狀圖案的方法包括等離子體輔助化學氣相沉積法，所述等離子體輔助化學氣相沉積法所使用的氣體包括硅烷以及氮氧化物，所述等離子體輔助化學氣相沉積法的制程參數包括所述硅烷的流量介于80sccm至1600sccm、所述氮氧化物的流量介于5000sccm至65000sccm、射頻功率介于80瓦特至2300瓦特、壓力介于0.4毫巴至0.6毫巴或介于750毫托至1450毫托以及溫度介于攝氏220度至350度。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述多個島狀圖案隨機地分布在所述半導體圖案的所述第一區及所述第二區上。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述多個島狀圖案的尺寸不一致。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，形成所述多個島狀圖案的方法包括化學氣相沉積法，而所述化學氣相沉積法包括：

于所述半導體圖案與氣體源之間配置遮蔽板，所述遮蔽板具有多個孔洞，所述氣體源輸出的氣體通過所述遮蔽板的所述多個孔洞而于所述半導體圖案上形成與所述多個孔洞對應的所述多個島狀圖案。

8.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述半導體圖案還具有連接于所述第一區與所述第二區之間的第三區，所述多個島狀圖案還形成在所述半導體圖案的所述第三區以及被所述半導體圖案暴露的部分所述絕緣層上。

9.根據權利要求8所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，形成所述源極與所述漏極的方法包括：

形成導電層，以覆蓋所述多個島狀圖案、所述半導體圖案的所述第一區、所述第二區及所述第三區與被所述半導體圖案暴露的所述部分的絕緣層；以及

利用濕式蝕刻工序圖案化所述導電層，以形成分別覆蓋所述半導體圖案的所述第一區及所述第二區且暴露所述第三區的所述源極與所述漏極，其中在形成所述源極與所述漏極的同時，位于所述半導體圖案的所述第三區及所述部分絕緣層上的另一部分的所述多個島狀圖案被保留。

10.根據權利要求8所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，形成所述源極與所述漏極的方法包括：

形成導電層，以覆蓋所述多個島狀圖案、所述半導體圖案的所述第一區、所述第二區及所述第三區與被所述半導體圖案暴露的所述部分的絕緣層；以及

利用干式蝕刻工序圖案化所述導電層，以形成分別覆蓋所述半導體圖案的所述第一區及所述第二區且暴露所述第三區的所述源極與所述漏極，其中在形成所述源極與所述漏極的同時，位于所述半導體圖案的所述第三區及被所述半導體圖案、所述源極與所述漏極暴露的所述部分絕緣層上的另一部分的所述多個島狀圖案被移除。

11.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，另一部分的所述多個島狀圖案配置于所述半導體圖案的兩旁且位于所述絕緣層上，而所述源極與所述漏極還覆蓋所述另一部分的所述多個島狀圖案。