[發(fā)明專利]用于在外延生長室中使用的基座及保持晶圓的熱傳導(dǎo)塊在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611153337.1 | 申請日： | 2016-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN107034516A | 公開（公告）日： | 2017-08-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 洪世瑋 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B25/12 | 分類號： | C30B25/12;C30B25/10;H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李偉 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 外延 生長 使用 基座 保持 熱傳導(dǎo) | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種用于在外延生長室中使用的基座，所述基座包括：
熱傳導(dǎo)主體，所述熱傳導(dǎo)主體配置成保持襯底，所述熱傳導(dǎo)主體包括：
第一區(qū)域，所述第一區(qū)域從所述熱傳導(dǎo)主體的外部邊緣朝向所述熱傳導(dǎo)主體的中央向內(nèi)延伸第一寬度，所述第一區(qū)域具有第一高度；
第二區(qū)域，所述第二區(qū)域從所述第一區(qū)域的內(nèi)部邊緣朝向所述熱傳導(dǎo)主體的所述中央向內(nèi)延伸第二寬度，所述第二區(qū)域具有比所述第一高度低的第二高度；以及
第三區(qū)域，所述第三區(qū)域從所述第二區(qū)域的內(nèi)部邊緣延伸至所述熱傳導(dǎo)主體的所述中央，
其中，所述第二區(qū)域包括平行于所述襯底的底部表面的平坦表面，并且其中，所述襯底的所述底部表面的一部分安置在所述第二區(qū)域的所述平坦表面上。
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