[發明專利]一種基于高儲能密度液體介質的卷繞型帶狀脈沖形成線

在審

• 申請號: 201611153229.4
• 申請日: 2016-12-14
• 公開（公告）號: CN106788343A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 李嵩;高景明;楊漢武;錢寶良;闞江南
• 申請（專利權）人: 中國人民解放軍國防科學技術大學
• 主分類號: H03K3/53
• 分類號: H03K3/53
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務所(普通合伙)43008
• 代理人: 趙洪

1.一種基于高儲能密度液體介質的卷繞型帶狀脈沖形成線，其特征在于基于高儲能密度液體介質的卷繞型帶狀脈沖形成線由高儲能密度液體介質(24)、金屬帶(25)、固定板(26)和絕緣封裝(27)四部分構成；金屬帶(25)位于固定板(26)的卡槽中，呈緊配合關系；固定板(26)位于絕緣封裝(27)中，固定板(26)邊緣與絕緣封裝(27)的內壁呈緊配合關系；高儲能密度液體介質(24)灌注于絕緣封裝(27)內部，包圍所有金屬帶(25)，并充斥整個絕緣封裝(27)的內部區域；金屬帶(25)由卷繞成渦旋狀的內金屬帶(28)、中金屬帶(29)、外金屬帶(30)組成，固定板(26)由下固定板(31)和上固定板(32)組成，下固定板(31)和上固定板(32)上的卡槽形狀為渦旋線。

2.如權利要求1所述的一種基于高儲能密度液體介質的卷繞型帶狀脈沖形成線，其特征在于所述內金屬帶(28)、中金屬帶(29)、外金屬帶(30)均為寬度為W，長度為l，厚度為d的金屬帶，三條金屬帶間的距離為D；內金屬帶(28)渦旋線的基圓半徑為R，螺距為N；中金屬帶(29)渦旋線的基圓半徑為R+d+D，螺距為N；外金屬帶(30)渦旋線的基圓半徑為R+2d+2D，螺距為N；其中，螺距N＝3d+3D。

3.如權利要求1所述的一種基于高儲能密度液體介質的卷繞型帶狀脈沖形成線，其特征在于所述下固定板(31)由絕緣材料制成，形狀為圓柱體板，厚度為H，在下固定板(31)上端面銑有三條寬度為d的渦旋線形狀的卡槽；第一內渦旋線卡槽(33)的基圓半徑為R，螺距等于內金屬帶(28)渦旋線的螺距N；第一中渦旋線卡槽(34)的基圓半徑為R+d+D，螺距為N；第一外渦旋線卡槽(35)的基圓半徑為R+2d+2D，螺距為N；三條渦旋線形狀的卡槽的深度均為O；第一內渦旋線卡槽(33)中嵌入內金屬帶(28)，第一中渦旋線卡槽(34)中嵌入中金屬帶(29)，第一外渦旋線卡槽(35)中嵌入外金屬帶(30)；所述R為內金屬帶(28)渦旋線的基圓半徑。

4.如權利要求1或3所述的一種基于高儲能密度液體介質的卷繞型帶狀脈沖形成線，其特征在于所述上固定板(32)由絕緣材料制成，形狀為圓柱體板，厚度為H；在上固定板(32)下端面銑有三條寬度為d的渦旋線形狀的卡槽；第二內渦旋線卡槽(36)的基圓半徑為R，螺距為N；第二中渦旋線卡槽(37)的基圓半徑為R+d+D，螺距為N；第二外渦旋線卡槽(38)的基圓半徑為R+2d+2D，螺距為N；三條渦旋線卡槽的深度均為O，第二內渦旋線卡槽(36)中嵌入內金屬帶(28)，第二中渦旋線卡槽(37)中嵌入中金屬帶(29)，第二外渦旋線卡槽(38)中嵌入外金屬帶(30)；正對卡槽起始端設計有三個直徑為V的第一圓形通孔(39)，通過金屬電纜分別連接內金屬帶(28)、中金屬帶(29)、外金屬帶(30)；正對卡槽終端同樣設計三個直徑為V的第二圓形通孔(40)，通過金屬電纜分別連接內金屬帶(28)、中金屬帶(29)、外金屬帶(30)。

5.如權利要求1所述的一種基于高儲能密度液體介質的卷繞型帶狀脈沖形成線，其特征在于所述絕緣封裝(27)由液體介質槽(41)和蓋板(42)組成；液體介質槽(41)是由絕緣材料制成且上端開口的圓筒；液體介質槽(41)的內半徑為R₁，高度為H₁，壁厚為S，要求R₁大于金屬導體帶外半徑，H₁>S+2·D+W；液體介質槽(41)上端面均勻鉆6個攻絲圓孔，孔徑K<S；液體介質槽(41)底面幾何中心處焊接圓管(43)，用于高儲能密度液體介質(24)的輸出。

6.如權利要求5所述的一種基于高儲能密度液體介質的卷繞型帶狀脈沖形成線，其特征在于所述蓋板(42)由絕緣材料制成，形狀為圓柱體，外半徑R₂＝R₁+S，厚度為S；與液體介質槽(41)上端面6個攻絲圓孔相對應的位置鉆孔，使用螺桿進行封裝；在蓋板(42)與上固定板(32)上的第一圓形通孔(39)相應位置鉆3個通孔，孔徑均為J，J＝K，用于高電壓的輸入；在蓋板(42)與上固定板(32)第二圓形通孔(40)相應位置鉆3個通孔，孔徑均為J，用于高電壓的輸出。在蓋板(42)幾何中心處焊接圓管(43)，用于高儲能密度液體介質(24)的輸入。