[發明專利]晶界多層結構調控的高豐度稀土燒結釹鐵硼磁體的制備方法及其產品

有效

• 申請號: 201611150726.9
• 申請日: 2016-12-14
• 公開（公告）號: CN106601401B
• 公開（公告）日: 2018-04-03
• 發明（設計）人: 張培;胡梅娟
• 申請（專利權）人: 中國工程物理研究院材料研究所
• 主分類號: H01F1/057
• 分類號: H01F1/057;H01F41/02
• 代理公司: 成都九鼎天元知識產權代理有限公司51214
• 代理人: 沈強

1.晶界多層結構調控的高豐度稀土燒結釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

（1）分別取低稀土釹鐵硼主相合金粉A1、含高豐度稀土MM的釹鐵硼主相合金粉A2，將低稀土釹鐵硼主相合金粉A1、含高豐度稀土MM的釹鐵硼主相合金粉A2與低熔點重稀土晶界重構合金粉R1_xM1_y混合，得到第一混合物，將第一混合物加熱至低熔點重稀土晶界重構合金粉R1_xM1_y熔點以上，且加熱溫度低于1100℃，使低稀土釹鐵硼主相合金A1、主相合金A2晶粒邊緣形成高磁晶各向異性的重稀土薄殼層，得到中間體；

（2）將步驟（1）制備的中間體破碎后，所得粉體與含有高豐度稀土的低熔點高電位晶界重構合金MM_aM2_b混合，得到第二混合物，將第二混合物進行磁場取向成型后，依次進行燒結、熱處理，即得產品。

2.根據權利要求1所述晶界多層結構調控的高豐度稀土燒結釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，所述MM為La、Ce中的一種或多種。

3.根據權利要求1所述晶界多層結構調控的高豐度稀土燒結釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，所述低稀土釹鐵硼主相合金粉A1的平均粒度小于5μm，稀土元素含量小于29 wt.%，Nd₂Fe₁₄B相所占比例大于95 %。

4.根據權利要求1所述晶界多層結構調控的高豐度稀土燒結釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，所述含高豐度稀土MM的釹鐵硼主相合金粉A2的平均粒度小于5μm，其中的高豐度稀土MM占主相合金粉A2總質量的3 wt.%以上。

5.根據權利要求1-4任一項所述晶界多層結構調控的高豐度稀土燒結釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，所述低熔點重稀土晶界重構合金粉R1_xM1_y中，R1為鑭系金屬Gd、Tb、Dy、Ho中的一種或多種，M1為O、F、H、Cu、Ni、Fe、Co、Sn、Ti、Nb、Zr中的一種或多種，x、y分別為R1、M1的原子百分數，x的范圍為5~80，x與y的和為100。

6.根據權利要求5所述晶界多層結構調控的高豐度稀土燒結釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，所述低熔點重稀土晶界重構合金粉R1_xM1_y的熔點低于900℃。

7.根據權利要求1-4、6任一項所述晶界多層結構調控的高豐度稀土燒結釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，所述低熔點高電位晶界重構合金MM_aM2_b中，MM為鑭系金屬La、Ce中的一種或兩種，M2為高標準電位金屬Cu、Ni、Fe、Co中的一種或多種，a、b分別為MM和M2的原子百分數，a的范圍為5~80，a與b的和為100。

8.根據權利要求5所述晶界多層結構調控的高豐度稀土燒結釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，所述低熔點高電位晶界重構合金MM_aM2_b中，MM為鑭系金屬La、Ce中的一種或兩種，M2為高標準電位金屬Cu、Ni、Fe、Co中的一種或多種，a、b分別為MM和M2的原子百分數，a的范圍為5~80，a與b的和為100。

9.根據權利要求1所述晶界多層結構調控的高豐度稀土燒結釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，所述低熔點重稀土晶界重構合金粉R1_xM1_y、低熔點高電位晶界重構合金粉MM_aM2_b的粒度均為0.1-100μm。

10.根據權利要求1-4、6、9任一項所述晶界多層結構調控的高豐度稀土燒結釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）中，將第二混合物進行磁場取向成型后，進行燒結，燒結溫度為950-1100℃，燒結時間為2-5h，然后進行兩級熱處理，一級熱處理溫度為850-950℃，保溫時間為1-5h，二級熱處理溫度為300-600℃，保溫時間為1-5h，即得產品。