[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體制造系統(tǒng)和制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611150380.2
• 申請(qǐng)日: 2016-12-14
• 公開（公告）號(hào): CN107665830A
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何晟銘;林博舜;文卡塔·斯里帕斯·薩散卡·普拉塔帕;王怡茹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,李偉

1.一種制造半導(dǎo)體的方法，包括：

通過(guò)用電子束掃描晶圓的部分來(lái)獲取所述晶圓的部分的圖像，所述晶圓的部分包括金屬線和設(shè)置在所述金屬線之上的貫通孔，其中，所述貫通孔暴露所述金屬線的與所述貫通孔垂直對(duì)準(zhǔn)的部分，并且其中，所述貫通孔的第一部分和所述貫通孔的第二部分都不與所述金屬線垂直對(duì)準(zhǔn)并且設(shè)置在所述金屬線的相對(duì)兩側(cè)上；

處理獲取的所述圖像，以增強(qiáng)所述貫通孔的第一部分和第二部分與它們周圍的區(qū)域之間的對(duì)比度；

測(cè)量所述貫通孔的第一部分的第一尺寸并且測(cè)量所述貫通孔的第二部分的第二尺寸，其中，在第一方向上測(cè)量所述第一尺寸和所述第二尺寸，所述第一方向不同于所述金屬線延伸的第二方向；以及

基于所述第一尺寸和所述第二尺寸確定所述貫通孔和所述金屬線之間的覆蓋。