[發(fā)明專(zhuān)利]一種半導(dǎo)體器件的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611146494.X
• 申請(qǐng)日: 2016-12-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108231646A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李飛;施林波;陳福成
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/683
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/683
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供器件晶圓，所述器件晶圓具有彼此相對(duì)的正面和背面；

提供支撐晶圓，通過(guò)膠黏劑將所述支撐晶圓和所述器件晶圓的正面進(jìn)行臨時(shí)鍵合；

對(duì)所述器件晶圓的背面進(jìn)行背面處理工藝；

對(duì)所述器件晶圓的邊緣區(qū)域進(jìn)行處理，以去除所述器件晶圓邊緣區(qū)域包裹的膠黏劑；

進(jìn)行解鍵合，使所述器件晶圓和所述支撐晶圓分離。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述處理包括采用晶圓邊緣切割膠黏劑的方法去除所述器件晶圓邊緣區(qū)域包裹的膠黏劑。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述處理包括對(duì)所述器件晶圓邊緣進(jìn)行修剪的方法去除所述器件晶圓邊緣區(qū)域包裹的膠黏劑。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述修剪的方法同時(shí)去除所述器件晶圓的邊緣部分。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述背面處理工藝包括減薄工藝。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，對(duì)器件晶圓的背面進(jìn)行減薄的工藝為研磨工藝。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在鍵合之前在所述支撐晶圓待鍵合的表面涂覆一層釋放層的步驟。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，還包括在解鍵合之前對(duì)所述釋放層進(jìn)行處理以釋放所述釋放層的步驟。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述支撐晶圓采用玻璃，所述釋放層為光-熱轉(zhuǎn)化膜層，所述釋放所述釋放層的步驟采用激光處理。

10.如權(quán)利要求1到9任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述解鍵合步驟包括：

移除所述支撐晶圓；

在所述器件晶圓正面布置去膠膠帶；

移除所述器件晶圓正面的所述去膠膠帶，同時(shí)去除所述器件晶圓表面的膠黏劑。