[發(fā)明專(zhuān)利]一種NANDFlash控制器的控制方法和裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611146248.4
• 申請(qǐng)日: 2016-12-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106776391A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊燕;李英祥;余樂(lè)韜
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 成都信息工程大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): G06F13/16
• 分類(lèi)號(hào): G06F13/16
• 代理公司: 成都信博專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司51200
• 代理人: 張輝,崔建中

1.一種NAND Flash控制器的控制方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：定義一系列功能寄存器組，用于操作NAND Flash顆粒接口；所述寄存器組包括通過(guò)ARM CPU定義NAND Flash控制器中操作NAND Flash顆粒的時(shí)序接口；

步驟2：解析步驟1中的寄存器組，得到相應(yīng)執(zhí)行指令；

步驟3：將解析后的執(zhí)行指令送至物理實(shí)現(xiàn)層，物理實(shí)現(xiàn)層實(shí)施具體的執(zhí)行指令，執(zhí)行所述步驟2中的執(zhí)行指令，驅(qū)動(dòng)NAND flash接口，按照操作時(shí)序控制NAND Flash顆粒。

2.如權(quán)利要求1所述的一種NAND Flash控制器的控制方法，其特征在于，所述寄存器組還包括：

選擇NAND Flash訪問(wèn)接口是異步、ONFI還是Toggle類(lèi)型，以及不同類(lèi)型的不同版本的選擇；

定義NAND Flash控制器中ECC模塊對(duì)NAND Flash閃存顆粒操作時(shí)糾錯(cuò)能力的配置；

定義編程數(shù)據(jù)寄存器接口，用于提供NAND Flash控制器向NAND Flash顆粒所要編程的數(shù)據(jù)；

定義NAND Flash控制器操作NAND Flash顆粒的具體時(shí)序指令，包括CE使能哪一顆NAND Flash存儲(chǔ)顆粒定義、CLE訪問(wèn)命令定義、ALE訪問(wèn)NAND Flash顆粒地址定義、WE、RE讀寫(xiě)控制寄存器定義以及ONFI和Toggle類(lèi)型下驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)讀寫(xiě)采樣的DQS信號(hào)定義。

3.一種NAND Flash控制器的控制裝置，其特征在于，包括依次相連的定義層模塊、解析層模塊、物理實(shí)現(xiàn)層模塊、NAND Flash接口模塊，所有模塊均采用全數(shù)字邏輯電路實(shí)現(xiàn)；

所述定義層模塊：用于定義NAND Flash控制器操作NAND Flash顆粒的具體時(shí)序指令，配置NAND Flash接口寄存器、ECC糾錯(cuò)能力寄存器、通道數(shù)寄存器、等待時(shí)間寄存器、編程數(shù)據(jù)寄存器、CE寄存器、CLE寄存器、ALE寄存器、WE寄存器、RE寄存器、CLK寄存器、DQS寄存器；

所述解析層模塊：用于解析定義層模塊定義的一系列NAND Flash控制器的寄存器組，將解析后的指令傳送至物理實(shí)現(xiàn)層模塊；所述解析層模塊由命令譯碼器電路完成對(duì)不同的定義寄存器信號(hào)解析操作；

所述物理實(shí)現(xiàn)層模塊：用于實(shí)現(xiàn)譯碼出來(lái)的具體寄存器指令，并根據(jù)配置的寄存器接口實(shí)現(xiàn)訪問(wèn)NAND Flash顆粒的具體時(shí)序產(chǎn)生與組合，傳送至NAND Flash接口模塊；

所述NAND Flash接口模塊：用于將組合好后訪問(wèn)顆粒時(shí)序提供至NAND Flash存儲(chǔ)器，按照標(biāo)準(zhǔn)的操作時(shí)序驅(qū)動(dòng)NAND Flash顆粒，完成NAND Flash存儲(chǔ)器的讀取、編程、擦除操作。

4.如權(quán)利要求3所述的一種NAND Flash控制器的控制裝置，其特征在于，所述物理實(shí)現(xiàn)層模塊包括ECC編解碼驅(qū)動(dòng)電路、控制狀態(tài)機(jī)電路、底層接口時(shí)序?qū)崿F(xiàn)電路；

所述ECC編解碼驅(qū)動(dòng)電路，用于接收命令譯碼器電路對(duì)定義的ECC糾錯(cuò)能力寄存器，根據(jù)配置糾錯(cuò)能力值，ECC編解碼驅(qū)動(dòng)電路根據(jù)不同的糾錯(cuò)能力值，調(diào)整校驗(yàn)碼長(zhǎng)度提供至ECC編解碼模塊；

所述控制狀態(tài)機(jī)電路，用于根據(jù)解析出定義的寄存器，產(chǎn)生控制NAND Flash顆粒的時(shí)序信號(hào)，控制狀態(tài)機(jī)電路通過(guò)層層調(diào)用一系列子狀態(tài)機(jī)電路產(chǎn)生所配置的一系列控制時(shí)序信號(hào)；

所述底層接口時(shí)序?qū)崿F(xiàn)電路，從頂層控制產(chǎn)生時(shí)序的各個(gè)子狀態(tài)機(jī)，將各個(gè)子狀態(tài)機(jī)產(chǎn)生的時(shí)序信號(hào)按照NAND Flash接口時(shí)序進(jìn)行組合，完成操作NAND Flash顆粒的各個(gè)時(shí)序控制信號(hào)的接口控制，并傳送至NAND Flash接口模塊。