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[發明專利]COA基板的制作方法、COA基板及液晶顯示面板在審

專利信息
申請號: 201611143570.1 申請日: 2016-12-13
公開(公告)號: CN106773240A 公開(公告)日: 2017-05-31
發明(設計)人: 賀暉 申請(專利權)人: 深圳市華星光電技術有限公司
主分類號: G02F1/1335 分類號: G02F1/1335
代理公司: 廣州三環專利代理有限公司44202 代理人: 郝傳鑫,熊永強
地址: 518132 廣東*** 國省代碼: 廣東;44
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摘要:
搜索關鍵詞: coa 制作方法 液晶顯示 面板
【說明書】:

技術領域

發明涉及液晶顯示面板技術領域,尤其涉及一種COA基板的制作方法、一種COA基板以及一種液晶顯示面板。

背景技術

液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display,LCD)具有機身薄、省電、無輻射等眾多優點,得到了廣泛的應用。如:液晶電視、移動電話、個人數字助理(PDA)、數字相機、計算機屏幕或筆記本電腦屏幕等。

通常液晶顯示裝置包括殼體、設于殼體內的液晶顯示面板及設于殼體內的背光模組(Back light module)。其中,液晶顯示面板的結構主要是由一薄膜晶體管陣列(Thin Film Transistor Array,TFT Array)基板、一彩色濾光片(Color Filter,CF)基板、以及配置于兩基板間的液晶層(Liquid Crystal Layer)所構成,其工作原理是通過在兩基板上施加驅動電壓來控制液晶層的液晶分子的旋轉,將背光模組的光線折射出來產生畫面。

COA(Color-filter on Array)技術是一種將彩色濾光層直接制作在陣列基板上的一種集成技術,能夠有效解決液晶顯示裝置對盒工藝中因對位偏差造成的漏光等問題,并能顯著提升顯示開口率。目前正常COA基板制作至少包括M1(柵極層)-GI(柵極絕緣層)-AS(半導體層)-M2(源極漏極)-PV1(保護層)-R/G/B(色阻層)-PV2(保護層)-ITO(像素電極)共11道黃光制程(其中色阻層需要3道),再加上用于與COA基板對盒的相對基板上還有BM(黑色矩陣)、PS(隔墊物)共2道黃光制程,采用COA技術的液晶顯示面板至少需要13道黃光制程,工藝非常繁瑣。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于提供一種COA基板的制作方法,所述COA基板的制作方法能夠簡化液晶顯示面板的制作工藝。

此外,還提供一種COA基板以及一種液晶顯示面板。

為了實現上述目的,本發明實施方式采用如下技術方案:

一方面,提供一種COA基板的制作方法,包括:

在第一襯底基板上形成薄膜晶體管層;

在所述薄膜晶體管層的遠離所述第一襯底基板的一側形成第一鈍化層,所述第一鈍化層形成連通所述薄膜晶體管層的第一過孔;

在所述第一鈍化層的遠離所述薄膜晶體管層的一側形成彩色濾光層,所述彩色濾光層具有彼此間隔設置的色阻塊和設置在相鄰的所述色阻塊之間的遮光塊,通過不同顏色的色阻層層疊形成所述遮光塊,所述彩色濾光層形成連通所述第一過孔的第二過孔;

通過一次曝光在所述彩色濾光層的遠離所述第一鈍化層的一側形成一體化的第二鈍化層和隔墊物,所述隔墊物位于所述第二鈍化層的遠離所述彩色濾光層的一側,所述第二鈍化層形成連通所述第二過孔的第三過孔;以及

在所述第二鈍化層的遠離所述彩色濾光層的一側形成像素電極層,所述像素電極層通過所述第三過孔、所述第二過孔以及所述第一過孔連接至所述薄膜晶體管層。

其中,所述第一鈍化層的遠離所述薄膜晶體管層的一側形成多個透光區和遮光區,所述多個透光區包括輪流間隔排布的第一透光區、第二透光區以及第三透光區,所述遮光區設于相鄰的所述透光區之間;

通過一次曝光在所述第一透光區形成第一色阻塊并在所述遮光區形成第一色阻層;

在所述第二透光區形成第二色阻塊;

通過一次曝光在所述第三透光區形成第三色阻塊并在所述遮光區形成第三色阻層,所述第一色阻層與所述第三色阻層層疊形成所述遮光塊,所述第一色阻塊、所述第二色阻塊以及所述第三色阻塊共同組成所述色阻塊。

其中,通過半色調光罩一次曝光第一色阻膜層,以形成所述第一色阻塊和所述第一色阻層。

其中,所述半色調光罩包括圖案化的不透光區、半透光區和透光區,所述透光區用于形成所述第一色阻塊,所述半透光區用于形成所述第一色阻層。

其中,通過多段式調整光罩一次曝光光阻層,以形成所述第二鈍化層和所述隔墊物。

其中,所述多段式調整光罩包括圖案化的第一區域、第二區域、第三區域以及第四區域,所述第一區域不透光,所述第二區域的透光比例為30%至50%,所述第三區域的透光比例為50%至80%,所述第四區域完全透光。

其中,所述“在第一襯底基板上形成薄膜晶體管層”的步驟包括:

在所述第一襯底基板上形成柵極層;

在所述柵極層的遠離所述第一襯底基板的一側形成柵極絕緣層;

在所述柵極絕緣層的遠離所述柵極層的一側形成半導體層;以及

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