[發明專利]一種MEMS器件及其制備方法、電子裝置

有效

• 申請號: 201611140954.8
• 申請日: 2016-12-12
• 公開（公告）號: CN108609575B
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 王偉;鄭超
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;馮永貞

1.一種MEMS器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圓，在所述第一晶圓的有源區中形成有目標圖案，在所述第一晶圓的表面上以及所述目標圖案的表面上還形成有第一接合界面層；

提供第二晶圓，在所述第二晶圓的表面上形成有第二接合界面層；

將所述第二晶圓的第二接合界面層和所述第一晶圓的第一接合界面層相接合；

蝕刻所述第二晶圓、所述第二接合界面層和至少部分厚度的所述第一接合界面層以形成虛擬開口，所述虛擬開口至少穿過部分厚度的所述第一接合界面層，以釋放所述第一晶圓與第二晶圓相接合中產生的應力。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述虛擬開口的位置與所述第一晶圓的周圍區對應。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述虛擬開口貫穿整個所述第一接合界面層，以露出所述第一晶圓的表面。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述蝕刻為濕法蝕刻。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一接合界面層包括熱氧化物層；

所述第二接合界面層包括熱氧化物層。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還進一步包括在所述第二晶圓中的MEMS區域中形成孔的步驟，所述孔露出所述第一晶圓的表面。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述目標圖案的步驟包括：

提供初始的第一晶圓，在所述初始的第一晶圓上形成圖案化的掩膜層；

以所述圖案化的掩膜層為掩膜蝕刻所述初始的第一晶圓，以在所述初始的第一晶圓中形成若干相互間隔的凹槽，以形成所述目標圖案。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在將所述第二晶圓和所述第一晶圓相接合之后、形成所述虛擬開口之前所述方法還進一步包括對所述第二晶圓進行減薄的步驟。

9.一種MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括：

第一晶圓；

目標圖案，位于所述第一晶圓的有源區中；

第一接合界面層，位于所述目標圖案和所述第一晶圓的表面上；

第二晶圓，所述第二晶圓的表面上具有第二接合界面層，所述第一接合界面層和所述第二接合界面層相接合；

虛擬開口，蝕刻所述第二晶圓、所述第二接合界面層和至少部分厚度的所述第一接合界面層以形成所述虛擬開口，所述虛擬開口位于所述第二晶圓中并至少貫穿部分厚度的所述第一接合界面層。

10.根據權利要求9所述的MEMS器件，其特征在于，所述虛擬開口的位置與所述第一晶圓的周圍區對應。

11.根據權利要求9所述的MEMS器件，其特征在于，所述虛擬開口貫穿整個所述第一接合界面層，以露出所述第一晶圓的表面。

12.根據權利要求9所述的MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件還包括：

孔，位于所述第二晶圓中的MEMS區域，所述孔露出所述第一晶圓的表面。

13.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括權利要求9至12之一所述的MEMS器件。