[發(fā)明專利]掩膜框架及制造方法和掩膜板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611138902.7 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106702318B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-11-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林治明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/04 | 分類號(hào): | C23C14/04;C23C14/24 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 容納槽 遮擋條 掩膜 定位孔 主框架 掩膜條 蒸鍍 焊接 邊緣部 掩膜板 偏量 遮擋 貫穿 制造 | ||
1.一種掩膜框架,所述掩膜框架包括主框架和多個(gè)遮擋條,所述主框架上形成有沿厚度方向貫穿所述主框架的蒸鍍區(qū),所述主框架上設(shè)置有多對(duì)第一容納槽,同一對(duì)第一容納槽中的兩個(gè)所述第一容納槽分別位于所述蒸鍍區(qū)第一方向的兩側(cè),每個(gè)所述遮擋條對(duì)應(yīng)一對(duì)所述第一容納槽,所述遮擋條的兩端分別設(shè)置在相應(yīng)的兩個(gè)第一容納槽中,其特征在于,所述掩膜框架包括至少一對(duì)第一定位孔,每對(duì)所述第一定位孔對(duì)應(yīng)一對(duì)所述第一容納槽,且同一對(duì)所述第一定位孔中的兩個(gè)第一定位孔分別與相應(yīng)的一對(duì)第一容納槽中的兩個(gè)所述第一容納槽位置對(duì)應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜框架,其特征在于,所述主框架上設(shè)置有多對(duì)第二容納槽和多個(gè)支撐條,兩個(gè)所述第二容納槽分別位于所述蒸鍍區(qū)第二方向的兩側(cè),所述第一方向和所述第二方向互相垂直,每個(gè)支撐條對(duì)應(yīng)一對(duì)第二容納槽,所述支撐條的兩端分別設(shè)置在相應(yīng)的兩個(gè)第二容納槽中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜框架,其特征在于,所述掩膜框架包括至少一對(duì)第二定位孔,每對(duì)所述第二定位孔對(duì)應(yīng)一對(duì)所述第二容納槽,且同一對(duì)所述第二定位孔中的兩個(gè)第二定位孔分別與相應(yīng)的一對(duì)第二容納槽中的兩個(gè)第二容納槽位置對(duì)應(yīng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩膜框架,其特征在于,所述主框架包括框架本體和開(kāi)放式掩膜板,所述開(kāi)放式掩膜板上形成有所述第一定位孔和所述第二定位孔,所述框架本體環(huán)繞所述蒸鍍區(qū),所述第一容納槽形成在所述框架本體上,所述框架本體上還形成有環(huán)繞所述蒸鍍區(qū)的第三容納槽,所述開(kāi)放式掩膜板設(shè)置在所述第三容納槽中。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩膜框架,其特征在于,所述主框架包括框架本體和兩個(gè)第一定位條,所述第一定位條上形成有多個(gè)所述第一定位孔,所述框架本體環(huán)繞所述蒸鍍區(qū),所述第一容納槽形成在所述框架本體上,所述蒸鍍區(qū)的第一方向的兩側(cè)各形成一個(gè)第四容納槽,兩個(gè)所述第一定位條分別設(shè)置在兩個(gè)所述第四容納槽中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的掩膜框架,其特征在于,所述主框架還包括兩個(gè)第二定位條,所述第二定位條上形成有多個(gè)所述第二定位孔,所述第二容納槽形成在所述框架本體上,所述蒸鍍區(qū)的第二方向的兩側(cè)各形成一個(gè)第五容納槽,兩個(gè)所述第二定位條分別設(shè)置在兩個(gè)所述第五容納槽中。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩膜框架,其特征在于,所述主框架包括框架本體,所述框架本體環(huán)繞所述蒸鍍區(qū),所述第一容納槽、所述第二容納槽、所述第一定位孔和所述第二定位孔均形成在所述框架本體上。
8.根據(jù)權(quán)利要求2至7中任意一項(xiàng)所述的掩膜框架,其特征在于,所述遮擋條的厚度小于或等于所述第一容納槽的深度,所述支撐條的厚度小于或等于所述第二容納槽的深度。
9.一種掩膜板,所述掩膜板包括掩膜框架和多個(gè)掩膜條,其特征在于,所述掩膜框架為權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的掩膜框架,多個(gè)所述掩膜條固定在所述主框架上,且一個(gè)所述掩膜條位于相鄰兩個(gè)所述遮擋條之間,所述掩膜條的邊緣區(qū)與所述遮擋條重疊。
10.一種掩膜框架的制造方法,其特征在于,所述掩膜框架包括至少一對(duì)第一定位孔,所述制造方法包括:
提供主框架,所述主框架上形成有沿厚度方向貫穿所述主框架的蒸鍍區(qū),并設(shè)置有多對(duì)第一容納槽,同一對(duì)第一容納槽中的兩個(gè)所述第一容納槽分別位于所述蒸鍍區(qū)第一方向的兩側(cè),每對(duì)所述第一定位孔對(duì)應(yīng)一對(duì)所述第一容納槽,且同一對(duì)所述第一定位孔中的兩個(gè)第一定位孔分別與相應(yīng)的一對(duì)第一容納槽中的兩個(gè)所述第一容納槽位置對(duì)應(yīng);
以所述第一定位孔為基準(zhǔn),對(duì)與所述第一定位孔對(duì)應(yīng)的第一容納槽與遮擋條進(jìn)行對(duì)位,對(duì)位準(zhǔn)確后,將所述遮擋條的兩端分別焊接在相應(yīng)一對(duì)所述第一容納槽中的兩個(gè)第一容納槽中。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造方法,其特征在于,所述主框架上設(shè)置有多對(duì)第二容納槽,兩個(gè)所述第二容納槽分別位于所述蒸鍍區(qū)第二方向的兩側(cè),所述第一方向和所述第二方向互相垂直,所述掩膜框架包括至少一對(duì)第二定位孔,每對(duì)所述第二定位孔對(duì)應(yīng)一對(duì)所述第二容納槽,且同一對(duì)所述第二定位孔中的兩個(gè)第二定位孔分別與相應(yīng)的一對(duì)第二容納槽中的兩個(gè)第二容納槽位置對(duì)應(yīng),所述制造方法還包括:
以第二定位孔為基準(zhǔn),對(duì)與所述第二定位孔對(duì)應(yīng)的第二容納槽與支撐條進(jìn)行對(duì)位,對(duì)位準(zhǔn)確后,將所述支撐條的兩端分別焊接在相應(yīng)一對(duì)所述第二容納槽中的兩個(gè)第一容納槽中。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





