[發明專利]一種鎢CMP工藝在審
| 申請號： | 201611137437.5 | 申請日： | 2016-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN106783728A | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發明（設計）人： | 顧祥;吳建偉;洪根深;曹利超 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第五十八研究所 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 總裝工程兵科研一所專利服務中心32002 | 代理人： | 楊立秋 |
| 地址： | 214035 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 cmp 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種鎢CMP工藝，其特征是，包括以下步驟：
(1)一次研磨：對鎢圓片進行研磨，采用的研磨漿為氧化鋁，研磨時間為25-35s；
(2)二次研磨：對步驟(1)所得圓片進行二次研磨，通過設備自行判斷介質二氧化硅的終點時間，并且在研磨找到終點時間后，再加磨10-15s，采用的研磨漿為氧化鋁，總研磨時間為55-65s；
(3)三次研磨：對步驟(2)中所得圓片進行三次研磨，采用的研磨漿為水，研磨時間為20-25s。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
