[發明專利]一種石墨烯/砷化鎵太陽電池的制備方法有效
| 申請號: | 201611129480.7 | 申請日: | 2016-12-09 |
| 公開(公告)號: | CN106449791B | 公開(公告)日: | 2018-02-02 |
| 發明(設計)人: | 賈銳;桂羊羊;孫恒超;陶科;戴小宛;金智;劉新宇 | 申請(專利權)人: | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0304;H01L31/18 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 石墨 砷化鎵 太陽電池 制備 方法 | ||
1.一種石墨烯/砷化鎵太陽電池的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)將石墨烯轉移至砷化鎵外延片表面的窗口層表面,形成石墨烯層;
2)在石墨烯層表面制備重摻雜砷化鎵帽子層;
3)在砷化鎵外延片襯底表面制備背面電極,在重摻雜砷化鎵帽子層表面制備正面電極;
4)采用化學腐蝕法腐蝕正面電極柵線間的重摻雜砷化鎵帽子層,露出石墨烯層,在所述露出的石墨烯層表面制備減反層。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述石墨烯層的石墨烯為1~10層。
3.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述步驟1)中,石墨烯層的轉移方法為濕法轉移法、干法轉移法、電化學轉移法中的任意一種或幾種。
4.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述步驟1)之前還包括,將砷化鎵外延片放入化學清洗液中水浴加熱進行表面清洗,取出后吹干。
5.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述化學清洗液為丙酮、異丙醇、無水乙醇、鹽酸、硫酸、氨水、雙氧水和去離子水中的一種或幾種。
6.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述步驟4)中,化學腐蝕法的腐蝕液為氨水、雙氧水、檸檬酸、檸檬酸鉀和磷酸中的一種或幾種。
7.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述砷化鎵外延片的結構為單結或多結聯級結構。
8.根據權利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述砷化鎵外延片的結構為單結砷化鎵/砷化鎵、單結砷化鎵/鍺、雙結鎵銦磷/砷化鎵、雙結鎵銦磷/鎵銦磷、雙結鋁鎵銦磷/砷化鎵、雙結鋁鎵銦磷/銦鎵磷、三結鎵銦磷/砷化鎵/鍺、三結鋁鎵銦磷/砷化鎵/鍺、三結鎵銦磷/銦鎵砷/鍺和三結鋁鎵銦磷/銦鎵砷/鍺中的任意一種或多種。
9.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述背面電極為金、鍺、鎳、銀、鋁、鈀、鈦、鉻、銅、氧化銦錫和鋁摻雜氧化鋅中的一種或幾種的復合電極;所述正面電極為金、鍺、鎳、銀、鋁、鈀、鈦、鉻、銅、氧化銦錫和鋁摻雜氧化鋅中的一種或幾種的復合電極。
10.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述減反層為ZnS、Al2O3、MgF2、TiO2、SiO2和Si3N4中的一種或幾種材料復合而成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





