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[發(fā)明專利]一種高效率面線轉換光纖傳光束的制備方法在審

專利信息
申請?zhí)枺?/td> 201611129192.1 申請日: 2016-12-09
公開(公告)號: CN106772790A 公開(公告)日: 2017-05-31
發(fā)明(設計)人: 劉琦;張心賁;張維;楊笛 申請(專利權)人: 長飛光纖光纜股份有限公司
主分類號: G02B6/04 分類號: G02B6/04
代理公司: 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙)42222 代理人: 汪俊鋒
地址: 430073 湖北省*** 國省代碼: 湖北;42
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摘要:
搜索關鍵詞: 一種 高效率 轉換 光纖 光束 制備 方法
【說明書】:

技術領域

發(fā)明涉及一種高效率面線轉換光纖傳光束的制備方法,屬于光纖光纜領域。

背景技術

面線轉換光纖傳光束是傳光系統(tǒng)中的關鍵器件,傳光效率將直接影響傳光效果,而線陣光纖的單絲直徑也直接影響了系統(tǒng)的分辨率。目前制備的光纖傳光束主要有兩種方法:酸溶法和層疊法。用酸溶法制備的光纖傳光束具有小截面,小單絲直徑,高分辨率的特點,但是斷絲率與暗絲率會隨著單絲直徑變小而增高;層疊法是用復合拉絲的方式將光纖進行堆疊,這樣能獲得更大的截面,但是受制于排絲與排片工藝,無法做到光纖與光纖精密堆疊,導致傳光束的有效傳光面積降低。

本發(fā)明介紹了一種新的高效率面線轉換光纖傳光束的制備方法,利用排絲拉錐的方法,可使傳光束的截面達到φ2mm,陣列寬度達到45.64mm,具有良好物理特性。

發(fā)明內容

本發(fā)明所要解決的技術問題在于提供一種高效率的面線轉換光纖傳光束的制備方法,從而改善最終的傳光效果。

本發(fā)明的技術方案是:

本發(fā)明提出的一種高效率面線轉換光纖傳光束制備方法,包括以下步驟:

1)選取(3n2+1)/4根的大芯包比光纖,n是面線轉換光纖傳光束端面最大橫截面處的光纖絲數(shù)目,并且n只能為奇數(shù);

2)將光纖的一端除去涂覆層之后,拉制成直徑40±5μm的光纖絲;

3)將拉錐之后的光纖絲用排絲機組合成一維陣列,并上膠制備成并帶;

4)將光纖的另一端除去涂覆層之后,用排絲機緊密排列成正六邊形,固定之后拉錐成40±5μm的光纖絲;

5)將拉錐之后的光纖絲端面進行研磨拋光,上膠,制備成面線轉換光纖傳光束。

步驟1)中大芯包比光纖是指芯包比為0.5~0.91的光纖。

步驟2)中,在1500℃~1700℃氫氧焰下進行高溫拉錐。

步驟4)中,在1500℃~1700℃氫氧焰下進行高溫拉錐。

本發(fā)明的一種高效率面線轉換光纖傳光束,還可以采用如下方法制備:

1)采用預制棒,拉制成(3n2+1)/4根40±5μm的光纖絲,n是面線轉換光纖傳光束端面最大橫截面處的光纖絲數(shù)目,并且n只能為奇數(shù);

2)使用排絲機,將光纖絲的一端組合成一維陣列,另一端緊密排列成正六邊形;

3)將光纖絲的一維陣列上膠制備成并帶,另一端面進行研磨拋光,上膠,制備成面線轉換光纖傳光束。

步驟1)中,在1500℃~1700℃氫氧焰下進行高溫拉錐。

本發(fā)明的有益效果是:

由于本發(fā)明是選取的大芯包比光纖,后將光纖拉成光纖絲,然后用排絲機將若干細絲排列并帶固定,這樣的單絲直徑可達40μm,前端面除去涂覆層的光纖進行正六邊形排絲固定,然后對六邊形光纖組合進行拉錐,使得前端截面具有更小的空占比,從而獲得更高的傳光面積。或者通過將預制棒拉成40μm光纖絲,再排絲成正六邊形。由于整個光纖中的單絲直徑變小,使得該光纖傳光束具有更高的分辨率、更小的截面和更高的通光效率。本發(fā)明在相同的截面積情況下較正常傳光束具備更多的像元光纖,暗絲率比傳統(tǒng)酸溶法低。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的面線轉換光纖傳光束結構圖;

圖2是本發(fā)明的面線轉換光纖傳光束前端面截面圖;

圖3是本發(fā)明的面線轉換光纖傳光束后端面截面圖;

具體實施方式

下面結合附圖,對本發(fā)明的具體實施方式作進一步詳細描述。但不用來限制本發(fā)明的范圍。

本發(fā)明方法的具體實施過程:

1)選取批量的大芯包比光纖;

2)將光纖后端拉制成所需尺寸的光纖絲;

3)根據(jù)設計結構將光纖絲組合成陣列并上膠并帶;

4)將光纖的前端面排成正六邊形固定;

5)將六邊形前端面固定之后拉錐;

6)對端面進行研磨拋光,并封裝。

本發(fā)明的一個實施例是選取1141根光纖,光纖的纖芯與包層為105/125μm;將上述光纖分別剝除尾纖部分的涂覆層,在1500℃~1700℃氫氧焰下拉絲至40μm,用排絲機排成一維陣列后上膠并帶;將上述上膠并帶的光纖束前端面用排絲機排成正六邊形固定;將上述正六邊形固定的光纖整體放入拉絲塔中在1500℃~1700℃氫氧焰下拉絲至單絲50μm;將上述光纖束第一次封裝后做成前端面為φ2000μm,后端面陣列光纖寬度為45640μm的傳光束;將上述傳光束端面光纖進行切割,加保護插芯后進行研磨拋光;將上述研磨拋光的傳光束進行第二次封裝;由以下計算公式:

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