[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611121073.1
• 申請日: 2016-12-08
• 公開（公告）號: CN106960813A
• 公開（公告）日: 2017-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周世培;盧禎發(fā);盧玠甫;杜友倫;蔡嘉雄
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,李偉

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

襯底，包括層間電介質(zhì)和設(shè)置在所述層間電介質(zhì)上方的硅層，其中，所述層間電介質(zhì)包括設(shè)置在所述層間電介質(zhì)中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；

介電層，設(shè)置在所述硅層上方；以及

導(dǎo)電插塞，與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接并且從所述介電層延伸穿過所述硅層至所述層間電介質(zhì)，

其中，所述導(dǎo)電插塞具有從所述介電層延伸至所述層間電介質(zhì)的長度和沿所述長度一致的寬度。