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[發明專利]一種快速預測耦合玻璃通孔互連傳輸特性的數值方法有效

專利信息
申請號: 201611120113.0 申請日: 2016-12-08
公開(公告)號: CN106844830B 公開(公告)日: 2019-08-06
發明(設計)人: 錢利波;夏銀水;葉益迭;施閣 申請(專利權)人: 寧波大學
主分類號: G06F17/50 分類號: G06F17/50
代理公司: 寧波奧圣專利代理事務所(普通合伙) 33226 代理人: 謝瀟
地址: 315211 浙*** 國省代碼: 浙江;33
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摘要:
搜索關鍵詞: 一種 快速 預測 耦合 玻璃 互連 傳輸 特性 數值 方法
【說明書】:

發明公開了一種快速預測耦合玻璃通孔互連傳輸特性的數值方法,借助于MATLAB數值軟件快速有效地計算耦合TGV互連傳輸特性,分析玻璃通孔的底部孔半徑、頂部孔半徑、通孔高度、通孔間的孔間距和襯底的電導率等設計參數對于耦合TGV傳輸特性的影響,克服了現有HFSS電磁仿真軟件與HSPICE電路仿真軟件仿真時間長,執行效率低的缺點,提高了三維集成電路的設計效率;本發明在預測TGV互連傳輸特性時,考慮了TGV的孔間耦合噪聲,能夠在考慮TGV耦合效應的要求下,快速精確計算出SGS和GSSG類型的TGV信號傳輸模式下的耦合TGV互連傳輸特性,克服了現有解析技術中僅分析單個信號TGV互連傳輸特性,而沒有考慮臨近信號通孔對于目標信號TGV互連傳輸質量產生影響的問題。

技術領域

本發明屬于電子技術領域,具體涉及一種快速預測耦合玻璃通孔互連傳輸特性的數值方法,可用于三維集成電路的前端設計,快速預測玻璃通孔在耦合串擾效應下的互連傳輸特性。

背景技術

玻璃通孔(即Through Glass Via,簡稱TGV)技術是實現2.5維與3維集成封裝系統的有效策略。TGV通過刻蝕或激光融化在玻璃襯底中開鑿通孔,之后在通孔內電鍍填充金屬銅或鎢等材料形成。但受開孔工藝的限制,開鑿的通孔為錐形,且通孔的尺寸普遍大于標準邏輯單元,例如,45nm工藝下,TGV典型尺寸是5um×5um,約為方形標準單元的4倍,容易成為新的片上耦合噪聲源;此外,由于芯片間通信帶寬需求的增加,有限單元硅片內集成的信號TGV數目與分布密度相應增長,國際半導體工業協會預測,2017年集成電路TGV分布密度將達到107/mm2;這些因素導致TGV在信號傳輸過程中承受著嚴重的孔間串擾噪聲,必須對耦合TGV的信號傳輸特性進行快速有效分析。

當前研究耦合TGV互連傳輸特性的方法主要有兩種:一種是采用三維結構電磁場仿真軟件HFSS進行仿真分析。Ansoft HFSS采用有限元法、自適應網格剖分、ALPS快速掃頻、切向元等技術,集成了工業標準的建模系統,可以分析電磁場數值解和開邊界問題,近遠場輻射問題,計算耦合TGV的S參數和相應端口阻抗的歸一化S參數,并精確的預測耦合TGV互連傳輸特性。但該方法在網格劃分及帶寬分割仿真時耗費的計算時間較長,將會延長電路設計時間,增加設計成本。第二種方法是在分析耦合TGV互連傳輸特性時,首先采用解析方程提取TGV的電阻、電容與電感等寄生電學參數,之后構建耦合TGV結構的等效電學模型,采用電路仿真軟件HSPICE仿真分析耦合TGV互連傳輸特性。該方法雖然可簡化TGV電學參數提取過程,但存在的不足是,仍借助于仿真軟件分析互連傳輸特性,計算方法較為復雜、繁瑣,執行效率較低。

En-Xiao Liu,Er-Ping Li,Wei-Bin Ewe,Teck Guan Lim,Shan Gao.Compactwideband equivalent circuit model for electrical modeling of through siliconvia.IEEE Transaction on Microwave Theory and Techniques,vol.59,no.6,June2011,該篇論文將信號-地通孔結構等效為分布傳輸線模型,最終得到了一種預測信號-地通孔結構互連傳輸特性的解析模型。

Xiao-Xian Liu,Zhang-Ming Zhu,Yin-Tang Yang.Low loss air cavitythrough silicon vias(TGVs)for high speed three dimensional integratedcircuits(3-D ICs).IEEE Microwave and Wireless Components Letters,vol.26,no.2,Feb.2016,該篇論文提取基于氣腔隔離的地-信號-地通孔結構的等效電學模型,并采用電路仿真軟件ADS仿真信號通孔傳輸特性。

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