[發(fā)明專利]用于離子注入的裝置和方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611116107.8
• 申請(qǐng)日: 2016-12-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106856159A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·G·拉文;M·杰里納克;H-J·舒爾策;W·舒斯特德
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01J37/317
• 分類號(hào): H01J37/317;H01L21/67;H01L21/265
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所11256
• 代理人: 鄭立柱,張昊

1.一種用于向晶片中注入離子的裝置，所述裝置包括：

接受器，被配置為支持所述晶片；

摻雜源，被配置為選擇性地向所述晶片的注入?yún)^(qū)域提供摻雜劑；以及

輻射源，被配置為選擇性地輻射所述注入?yún)^(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述輻射源被配置為發(fā)射將被所述注入?yún)^(qū)域中的所述晶片吸收的電磁波。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括：控制單元，被配置為控制所述輻射源以提供將被所述注入?yún)^(qū)域中的所述晶片吸收的預(yù)定量的能量。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述控制單元被配置為控制所述輻射源以在預(yù)定持續(xù)時(shí)間期間提供所述預(yù)定量的能量。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述控制單元被配置為基于所述注入?yún)^(qū)域中的所述晶片的比熱容控制所述輻射源。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述控制單元被配置為控制所述輻射源以在所述注入?yún)^(qū)域的方向上提供輻射，同時(shí)所述摻雜源向所述注入?yún)^(qū)域提供所述摻雜劑。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括檢測(cè)器，被配置為檢測(cè)所述注入?yún)^(qū)域中的所述晶片的表面溫度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述檢測(cè)器被配置為接收從所述晶片的表面發(fā)射的電磁輻射。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，還包括控制單元，其中所述控制單元被配置為基于檢測(cè)為所述注入?yún)^(qū)域中的所述晶片的表面溫度的溫度來(lái)控制所述輻射源。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述輻射源為鹵素?zé)簟l(fā)光二極管或激光源中的至少一個(gè)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述接受器被配置為冷卻所述晶片。

12.一種用于向晶片中注入離子的裝置，所述裝置包括：

接受器，被配置為支持所述晶片；

摻雜源，被配置為選擇性地向注入?yún)^(qū)域提供摻雜劑；以及

輻射源，被配置為在所述注入?yún)^(qū)域的方向上選擇性地提供輻射。

13.一種用于向晶片中注入離子的方法，所述方法包括：

提供晶片；

在所述晶片的預(yù)定注入?yún)^(qū)域中選擇性地提供摻雜劑；以及

在所述晶片的預(yù)定注入?yún)^(qū)域中選擇性地提供輻射。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述輻射的至少一部分被所述晶片吸收。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括：控制所述輻射源，以提供將被所述預(yù)定注入?yún)^(qū)域中的所述晶片吸收的特定量的能量。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中控制所述輻射源包括：控制所述輻射源以在所述注入?yún)^(qū)域的方向上提供輻射，同時(shí)所述摻雜劑被提供給所述注入?yún)^(qū)域。

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括：檢測(cè)所述預(yù)定注入?yún)^(qū)域中的所述晶片的溫度。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括：

接收從所述晶片的表面發(fā)射的電磁輻射；以及

基于從所接收的電磁輻射中得到的信號(hào)來(lái)檢測(cè)所述晶片的溫度。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括：基于所述注入?yún)^(qū)域中的所述晶片的溫度來(lái)控制所述輻射源。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，還包括：

控制所述輻射源，以在預(yù)定持續(xù)時(shí)間期間提供特定量的能量；以及

基于所述注入?yún)^(qū)域中的所述晶片的比熱容來(lái)控制所述輻射源。

21.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述晶片可移動(dòng)地固定至從由玻璃載體和箔載體組成的組中選擇的至少一個(gè)載體。