[發(fā)明專利]具有不同罩材料的激光再封裝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611114288.0
• 申請(qǐng)日: 2016-12-07
• 公開（公告）號(hào): CN106946219B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A·布萊特林;F·賴興巴赫;J·弗萊;J·萊茵穆特;J·阿姆托爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號(hào): B81B7/02
• 分類號(hào): B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 侯鳴慧

本發(fā)明提出用于制造微機(jī)械構(gòu)件的方法，具有襯底和與襯底連接且與襯底包圍第一空穴的罩，在第一空穴中存在第一壓力且包含具有第一化學(xué)組分的第一氣體混合物，?第一方法步驟中，在襯底或罩中構(gòu)造連接第一空穴與微機(jī)械構(gòu)件周圍環(huán)境的進(jìn)入開口，?第二方法步驟中，調(diào)節(jié)第一空穴中的第一壓力和/或第一化學(xué)組分，?第三方法步驟中，通過借助激光將能量或熱量引入襯底或罩的吸收部分來封閉進(jìn)入開口，其特征在于，?第四方法步驟中，第一晶體層或第一無定型層或第一納米晶體層或第一多晶體層在襯底或罩表面上沉積或生長，?第五方法步驟中，提供包括第二晶體層和/或第二無定型層和/或納米晶體層和/或第二多晶體層的襯底或者罩。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種根據(jù)權(quán)利要求1前序部分所述的方法。

背景技術(shù)

由WO 2015/120939 A1公知這種方法。如果期望在微機(jī)械構(gòu)件的空穴中有確定的內(nèi)壓，或者在空穴中應(yīng)包含具有確定的化學(xué)組分的氣體混合物，則通常在封裝微機(jī)械構(gòu)件時(shí)或者在襯底晶片與罩晶片之間的鍵合過程中調(diào)節(jié)內(nèi)壓或化學(xué)組分。在封裝時(shí)例如將罩與襯底連接，由此罩與襯底共同包圍空穴。通過調(diào)節(jié)在封裝時(shí)在周圍環(huán)境中存在的氣體混合物的大氣或壓力和/或化學(xué)組分，可以因此調(diào)節(jié)在空穴中的確定的內(nèi)壓和/或確定的化學(xué)組分。

通過由WO 2015/120939 A1已知的方法可以有針對(duì)性地調(diào)節(jié)在微機(jī)械構(gòu)件的空穴中的內(nèi)壓。通過該方法尤其可能的是，制造具有第一空穴的微機(jī)械構(gòu)件，其中，在第一空穴中可以調(diào)節(jié)第一壓力和第一化學(xué)組分，該第一壓力或第一化學(xué)組分不同于在封裝時(shí)刻的第二壓力和第二化學(xué)組分。

在根據(jù)WO 2015/120939 A1的用于有針對(duì)性地調(diào)節(jié)微機(jī)械構(gòu)件的空穴中的內(nèi)壓的方法中，在罩中或者說在罩晶片中或在襯底中或者說在傳感器晶片中產(chǎn)生到空穴的窄的進(jìn)入通道。接著以所期望的氣體和所期望的內(nèi)壓通過進(jìn)入通道充滿空穴。最后借助激光器局部地加熱圍繞進(jìn)入通道的區(qū)域，襯底材料局部液化并且在固化時(shí)密封地封閉進(jìn)入通道。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的任務(wù)是，以相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)簡單并且成本有利的方式提供一種用于制造相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)機(jī)械牢固的以及具有長使用壽命的微機(jī)械構(gòu)件的方法。此外，本發(fā)明的任務(wù)是，提供一種相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)緊湊的、機(jī)械牢固的并且具有長使用壽命的微機(jī)械構(gòu)件。根據(jù)本發(fā)明，這尤其適用于具有(第一)空穴的微機(jī)械構(gòu)件。通過根據(jù)本發(fā)明的方法和根據(jù)本發(fā)明的微機(jī)械構(gòu)件也還能夠?qū)崿F(xiàn)微機(jī)械構(gòu)件，在該微機(jī)械構(gòu)件中，在第一空穴中可以設(shè)定第一壓力和第一化學(xué)組分，并且在第二空穴中可以設(shè)定第二壓力和第二化學(xué)組分。例如設(shè)置這樣的用于制造微機(jī)械構(gòu)件的方法，對(duì)于該微機(jī)械構(gòu)件有利的是，在第一空穴中包含第一壓力并且在第二空穴中包含第二壓力，其中，第一壓力應(yīng)不同于第二壓力。例如當(dāng)用于轉(zhuǎn)速測量的第一傳感器單元和用于加速度測量的第二傳感器單元要集成到微機(jī)械構(gòu)件中時(shí)是這種情況。

該任務(wù)由此實(shí)現(xiàn)，即

-在第四方法步驟中，第一晶體層或第一無定型層或第一納米晶體層或第一多晶體層在襯底或罩的表面上沉積或者生長，和/或

-在第五方法步驟中，提供包括第二晶體層和/或第二無定型層和/或第二納米晶體層和/或第二多晶體層的襯底或者包括第二晶體層和/或第二無定型層和/或第二納米晶體層和/或第二多晶體層的罩。

由此以簡單并且成本有利的方式提供一種用于制造微機(jī)械構(gòu)件的方法，通過該方法借助于對(duì)所使用材料的結(jié)晶性有針對(duì)性的調(diào)節(jié)，可以在襯底或罩的在第三方法步驟中過渡到液態(tài)聚集態(tài)并且在第三方法步驟后過渡到固態(tài)聚集態(tài)的區(qū)域中和封閉進(jìn)入開口的材料區(qū)域中提高相對(duì)于裂紋形成和/或裂紋擴(kuò)展的阻力。