[發明專利]具有不同罩材料的激光再封裝

有效

• 申請號: 201611114288.0
• 申請日: 2016-12-07
• 公開（公告）號: CN106946219B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發明（設計）人: A·布萊特林;F·賴興巴赫;J·弗萊;J·萊茵穆特;J·阿姆托爾
• 申請（專利權）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 侯鳴慧

1.用于制造微機械構件(1)的方法，該微機械構件具有襯底(3)和與所述襯底(3)連接并且與所述襯底(3)包圍第一空穴(5)的罩(7)，其中，在所述第一空穴(5)中存在第一壓力并且包含具有第一化學組分的第一氣體混合物，其中，

-在第一方法步驟(101)中，在所述襯底(3)或所述罩(7)中構造連接第一空穴(5)與所述微機械構件(1)周圍環境(9)的進入開口(11)，其中，

-在第二方法步驟(102)中，調節在所述第一空穴(5)中的第一壓力和/或第一化學組分，其中，

-在第三方法步驟(103)中，通過借助于激光將能量或熱量引入到所述襯底(3)或所述罩(7)的吸收部分中來封閉所述進入開口(11)，其特征在于，

-在第四方法步驟(104)中，第一晶體層或第一無定型層或第一納米晶體層或第一多晶體層在所述襯底(3)或所述罩(7)的表面上沉積或者生長，和/或

-在第五方法步驟中，提供包括第二晶體層和/或第二無定型層和/或納米晶體層和/或第二多晶體層的襯底(3)或者包括第二晶體層和/或第二無定型層和/或納米晶體層和/或第二多晶體層的罩(7)。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在第六方法步驟中，第三晶體層或第三無定型層或第三納米晶體層或第三多晶體層在第一晶體層上或在第一無定型層上或在第一納米晶體層上或在第一多晶體層上沉積或生長。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中，在第七方法步驟中，第四晶體層或第四無定型層或第四納米晶體層或第四多晶體層在第三晶體層上或在第三無定型層上或在第三納米晶體層上或在第三多晶體層上沉積或生長。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其中，在第八方法步驟中，第五晶體層或第五無定型層或第五納米晶體層或第五多晶體層在第四晶體層上或在第四無定型層上或在第四納米晶體層上或在第四多晶體層上沉積或生長。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，在第九方法步驟中，對

-所述襯底(3)或所述罩(7)和/或

-第一晶體層或第一無定型層或第一納米晶體層或第一多晶體層和/或

-第二晶體層或第二無定型層或第二納米晶體層或第二多晶體層和/或

-第三晶體層或第三無定型層或第三納米晶體層或第三多晶體層和/或

-第四晶體層或第四無定型層或第四納米晶體層或第四多晶體層和/或

-第五晶體層或第五無定型層或第五納米晶體層或第五多晶體層進行摻雜。

6.根據權利要求4所述的方法，其中，在第十方法步驟中，去除至少部分在

-所述襯底(3)或所述罩(7)和/或

-第一晶體層或第一無定型層或第一納米晶體層或第一多晶體層和/或

-第二晶體層或第二無定型層或第二納米晶體層或第二多晶體層和/或

-第三晶體層或第三無定型層或第三納米晶體層或第三多晶體層和/或

-第四晶體層或第四無定型層或第四納米晶體層或第四多晶體層和/或

-第五晶體層或第五無定型層或第五納米晶體層或第五多晶體層上和/或中布置的氧化物，和/或使

-所述襯底(3)或所述罩(7)和/或

-第一晶體層或第一無定型層或第一納米晶體層或第一多晶體層和/或

-第二晶體層或第二無定型層或第二納米晶體層或第二多晶體層和/或

-第三晶體層或第三無定型層或第三納米晶體層或第三多晶體層和/或

-第四晶體層或第四無定型層或第四納米晶體層或第四多晶體層和/或

-第五晶體層或第五無定型層或第五納米晶體層或第五多晶體層鈍化來防止氧化。