[發明專利]源極跟隨器

有效

• 申請號: 201611114270.0
• 申請日: 2016-12-07
• 公開（公告）號: CN108170195B
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: 楊思哲;林文琦;陳耿男
• 申請（專利權）人: 矽統科技股份有限公司
• 主分類號: G05F1/565
• 分類號: G05F1/565
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 姚垚;曹正建

一種源極跟隨器，具有第一晶體管、第一輸出模塊、第二晶體管、第二輸出模塊與反饋模塊；第一晶體管的第一端用以接收第一基準電壓，第一晶體管的第二端電性連接第一輸出端，第一晶體管的控制端用以接收第一控制電壓，第一輸出模塊電性連接第一輸出端；第二晶體管的第一端用以接收第一基準電壓，第二晶體管的第二端電性連接第二輸出端，第二晶體管的控制端用以接收第一控制電壓；第二輸出模塊電性連接第二輸出端；反饋模塊電性連接第一晶體管的控制端、第二晶體管的控制端與第二輸出模塊中的參考節點。本發明所提供的源極跟隨器具有反饋模塊，源極跟隨器借助于反饋模塊穩定所輸出的電流，從而克服了壓力、體積與溫度對于源極跟隨器電流的影響。

技術領域

本發明涉及一種源極跟隨器，特別是一種具有反饋電路的源極跟隨器。

背景技術

在傳統的電路設計上，會設置源極跟隨器(source follower)電路于可程序化增益放大器(programmable gain amplifier，PGA)的前端。相較于不具源極跟隨器的電路，在設置有源極跟隨器的電路中，相對于可程序化增益放大器而言，其前端電路所提供的輸出阻抗會較低。在一種做法中，源極跟隨器會例如使用金屬氧化物半導體場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)當做緩沖器與轉換阻抗。但是，源極跟隨器中的元件容易受到壓力、體積與溫度(process，voltage and temperature，PVT)影響而有程度不一的老化，從而導致源極跟隨器因為這些因素而輸出預期之外的電壓或者是電流，以致于整體電路的效能也會受到影響。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于，針對現有技術的不足提供一種源極跟隨器，以克服壓力、體積與溫度對輸出電壓電流的影響。

本發明所要解決的技術問題是通過如下技術方案實現的：

一種源極跟隨器，所述的源極跟隨器具有第一晶體管、第一輸出模塊、第二晶體管、第二輸出模塊與反饋模塊；第一晶體管的第一端用以接收第一基準電壓，第一晶體管的第二端電性連接第一輸出端，第一晶體管的控制端用以接收第一控制電壓，第一晶體管用以依據第一控制電壓產生第一電流；第一輸出模塊電性連接第一輸出端，第一輸出模塊依據輸入信號與第一電流提供輸出電壓至第一輸出端；第二晶體管的第一端用以接收第一基準電壓，第二晶體管的第二端電性連接第二輸出端，第二晶體管的控制端用以接收第一控制電壓，第二晶體管用以依據第一控制電壓產生第二電流；第二輸出模塊電性連接第二輸出端，第二輸出模塊依據第二基準電壓與第二電流提供共模電壓至第二輸出端；反饋模塊電性連接第一晶體管的控制端、第二晶體管的控制端與第二輸出模塊中的參考節點，反饋模塊用以依據參考電壓調整參考節點的電壓電平與第一控制電壓的電壓電平。

更好地，該第一輸出模塊具有另一參考節點，該反饋模塊電性連接該另一參考節點，且該反饋模塊依據該參考電壓調整該另一參考節點的電壓電平，該反饋模塊包括：一第一差動對，具有一第一控制端、一第二控制端、一第一電流端、一第二電流端與一第三電流端，該第一控制端電性連接該參考節點，該第二控制端用以接收該參考電壓，該第一差動對用以依據該第一控制端的電壓電平與該第二控制端的電壓電平控制流經該第一差動對的該些電流端的電流；一第二差動對，具有一第三控制端、一第四控制端、一第四電流端、一第五電流端與一第六電流端，該第三控制端用以接收該參考電壓，該第四控制端電性連接該另一參考節點，該第二差動對用以依據該第三控制端的電壓電平與該第四控制端的電壓電平控制流經該第二差動對的該些電流端的電流；以及一匯流單元，該匯流單元電性連接該第一晶體管與該第二晶體管，且該匯流單元具有一第一匯流端與一第二匯流端，該第一匯流端電性連接該第三電流端與該第五電流端，該第二匯流端電性連接該第二電流端與該第六電流端，該匯流單元用以依據流經該第三電流端的電流、流經該第四電流端的電流、流經該第五電流端的電流與流經該第六電流端的電流控制流經該第一晶體管的電流與流經該第二晶體管的電流。