[發明專利]一種PVD法制備二硫化鎢納米薄膜的方法在審
| 申請號： | 201611106199.1 | 申請日： | 2017-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN106756782A | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發明（設計）人： | 田幼華 | 申請（專利權）人： | 燕園眾欣納米科技（北京）有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;C23C14/24;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100080 北京市海淀區海淀大*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 pvd 法制 硫化 納米 薄膜 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種二硫化鎢納米薄膜的制備方法。其特征在于，采用物理氣相沉積(PVD)方法，以二硫化鎢粉末為反應源在低真空(460-470Pa)的條件下經900℃-1000℃高溫加熱后冷卻得到。
2.根據權利要求1所述的二硫化鎢納米薄膜的制備方法，其特征在于：二硫化鎢粉末為反應源，二氧化硅/硅為襯底。
3.根據權利要求1所述的二硫化鎢納米薄膜的制備方法，其特征在于：反應系統為水平放置的石英管爐，二硫化鎢粉末被置于水平石英管爐的熱區中心，二氧化硅/硅襯底置于順著氣流下方14-17cm遠的位置。
4.根據權利要求1所述的二硫化鎢納米薄膜的制備方法，其特征在于：反應源在40分鐘內從室溫加熱到900℃-1000℃并維持30分鐘到1小時，然后自然冷卻至室溫。
5.根據權利要求1所述的二硫化鎢納米薄膜的制備方法，其特征在于：整個過程中氣壓需要嚴格控制在460-470Pa，高純氬氣的流量為130-160sccm。
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