[發明專利]局部高頻熱處理工藝

在審

• 申請號: 201611105135.X
• 申請日: 2016-12-05
• 公開（公告）號: CN108148961A
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發明（設計）人: 曲立輝
• 申請（專利權）人: 青島小米星電子科技有限公司
• 主分類號: C21D1/42
• 分類號: C21D1/42;C21D11/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種局部高頻熱處理工藝，其特征在于，包括：高頻熱處理控制器、高頻加熱發生器、紅外溫控器、紅外探頭、降溫水循環系統、水管道和布墊，所述高頻加熱發生器為直立放置的磁感應線圈，由多個間隔的所述高頻加熱發生器排列組成加熱系統，所述高頻加熱發生器的頂部連接所述水管道，所述水管道由所述降溫水循環系統控制，所述水管道在上表面形成一個置物臺，所述置物臺上放置所述布墊，所述布墊上放置器件的熱處理部分，所述布墊為耐高溫布墊，所述紅外探頭監測器件上熱處理區域的溫度情況，所述紅外探頭由所述紅外溫控器控制，所述紅外溫控器將監控的溫度編輯成信號反饋到所述高頻熱處理控制器，所述高頻熱處理控制器根據接收的信號自動控制相應的所述高頻加熱發生器的開關狀態。

2.根據權利要求1所述的高頻熱處理工藝，其特征在于，所述高頻加熱發生器由所述高頻熱處理控制器一對一控制。

3.根據權利要求1所述的高頻熱處理工藝，其特征在于，所述紅外溫控器的精度為0.2攝氏度。