[發(fā)明專利]等離子體產(chǎn)生裝置及包括該裝置的半導(dǎo)體設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611097324.7
• 申請日: 2016-12-02
• 公開（公告）號: CN108155080A
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭士選;蘇恒毅
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/3065
• 代理公司: 北京思創(chuàng)畢升專利事務(wù)所 11218
• 代理人: 廉莉莉;孫向民

1.一種等離子體產(chǎn)生裝置，所述等離子體產(chǎn)生裝置包括主筒和沿所述主筒周向設(shè)置的主筒線圈，所述主筒上方設(shè)有中心進(jìn)氣孔，其特征在于，還包括副筒和沿所述副筒周向設(shè)置的副筒線圈，其中，所述副筒設(shè)置于所述主筒下方，且所述副筒與所述主筒同軸設(shè)置，所述副筒的內(nèi)徑大于所述主筒的內(nèi)徑，在所述副筒與所述主筒之間且在所述主筒的徑向外側(cè)設(shè)有邊緣進(jìn)氣孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其特征在于，還包括沿所述主筒的徑向方向設(shè)置于所述中心進(jìn)氣孔與所述邊緣進(jìn)氣孔之間的等離子體約束裝置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述等離子體約束裝置為筒狀。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述等離子體約束裝置與所述主筒同軸設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述等離子體約束裝置的內(nèi)徑D1大于或等于所述主筒的內(nèi)徑D2。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述等離子體約束裝置的高度H1大于或等于所述副筒的高度H2。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述等離子體約束裝置的下端面與待加工工件的上表面之間的距離H3為10-80mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述等離子體約束裝置的壁厚T1≥4mm。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述主筒與所述副筒之間設(shè)置有蓋板，所述邊緣進(jìn)氣孔設(shè)置于所述蓋板上，所述等離子體約束裝置通過連接件固定于所述蓋板下表面。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述連接件通過密封件被密封在所述等離子體約束裝置內(nèi)部。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述等離子體約束裝置的上端設(shè)有法蘭結(jié)構(gòu)，所述法蘭結(jié)構(gòu)用于將所述等離子體約束裝置固定于所述蓋板下表面。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述法蘭結(jié)構(gòu)的厚度T2≥8mm。

13.一種半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述半導(dǎo)體設(shè)備包括：

反應(yīng)腔；

基座，設(shè)置在所述反應(yīng)腔內(nèi)，用于承載待加工工件；以及

根據(jù)權(quán)利要求1-12中任一項(xiàng)所述的等離子體產(chǎn)生裝置，所述等離子體產(chǎn)生裝置設(shè)置在所述反應(yīng)腔的上方，且所述等離子體產(chǎn)生裝置與所述基座相對設(shè)置。