[發(fā)明專利]一種低敏感度襯底輸入放大器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611095402.X
• 申請(qǐng)日: 2016-12-01
• 公開（公告）號(hào): CN106788279B
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李洪革;龔斯迪;白會(huì)新
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京航空航天大學(xué)
• 主分類號(hào): H03F1/26
• 分類號(hào): H03F1/26;H03F1/38;H03F3/45
• 代理公司: 11331 北京康盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 王加瑩

本申請(qǐng)公開了一種低敏感度襯底輸入放大器，解決現(xiàn)有襯底輸入放大器存在的電磁性能缺陷。本發(fā)明包含至少一個(gè)正反饋結(jié)構(gòu)，優(yōu)化實(shí)施例為改進(jìn)正反饋結(jié)構(gòu)，包含第一正反饋結(jié)構(gòu)和濾波電路。進(jìn)一步地，本發(fā)明放大器包含第二正反饋結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的實(shí)施例還進(jìn)一步包含偏置電路、濾波電路、對(duì)稱輸出級(jí)電路。本發(fā)明提高電路的抗EMI性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子電路領(lǐng)域，具體涉及一種具有抗電磁干擾性能的放大器。

背景技術(shù)

在穿戴式智能電子產(chǎn)品、生物醫(yī)學(xué)微納器件、植入式腦機(jī)交互微機(jī)系統(tǒng)中，低電壓低功耗放大器是關(guān)鍵。為芯片長(zhǎng)時(shí)間續(xù)航等要求，需要設(shè)計(jì)具有良好性能的低電壓低功耗放大器。目前低電壓放大器技術(shù)中，襯底輸入技術(shù)由于其寬輸入擺幅、適于在極低電壓下工作等優(yōu)點(diǎn)已被低電壓設(shè)計(jì)廣泛采用。

但是，傳統(tǒng)的襯底輸入放大器中的襯底輸入MOS晶體管的等效跨導(dǎo)通常比同等條件下柵驅(qū)動(dòng)晶體管的跨導(dǎo)低得多，進(jìn)而導(dǎo)致低截止頻率、低DC增益、低信噪比等性能劣化。由于電磁敏感度高，在受到電磁干擾時(shí)，無(wú)法高效工作、甚至無(wú)法正常工作。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)公開一種低敏感度襯底輸入放大器，解決現(xiàn)有襯底輸入放大器存在的電磁性能缺陷。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種低敏感度襯底輸入放大器，包含至少一個(gè)正反饋結(jié)構(gòu)；所述正反饋結(jié)構(gòu)包含第11晶體管、第12晶體管、第13晶體管、第21晶體管、第22晶體管和第23晶體管；所述第11晶體管、第12晶體管、第13晶體管、第21晶體管、第22晶體管和第23晶體管均為PMOS晶體管；所述第11晶體管、第12晶體管和第13晶體管的襯底相連，作為第一襯底端；所述第21晶體管、第22晶體管和第23晶體管的襯底相連，作為第二襯底端；所述第11晶體管、第12晶體管、第13晶體管、第21晶體管、第22晶體管、第23晶體管的源極相連，作為總源極端；所述第11晶體管的漏極、第12晶體管漏極、第12晶體管的柵極、第13晶體管的柵極、第21晶體管的柵極相連，作為第一柵極端；所述第21晶體管的漏極、第22晶體管漏極、第22晶體管的柵極、第23晶體管的柵極、第11晶體管的柵極相連，作為第二柵極端；所述第13晶體管的漏極為第一漏極端；所述第23晶體管的漏極為第二漏極端。

作為本發(fā)明進(jìn)一步優(yōu)化的實(shí)施例，所述低敏感度襯底輸入放大器包含改進(jìn)正反饋結(jié)構(gòu)，所述改進(jìn)正反饋結(jié)構(gòu)包含一濾波電路和第一個(gè)所述正反饋結(jié)構(gòu)(簡(jiǎn)稱第一正反饋結(jié)構(gòu))；所述濾波電路包含第一電阻、第二電阻、第一電容、第二電容、第一襯源電容和第二襯源電容；所述第一電阻一端接差分信號(hào)正輸入端，另一端接第一正反饋結(jié)構(gòu)第一襯底端；所述第一電容正極接第一正反饋結(jié)構(gòu)第一襯底端，負(fù)極接地；所述第一襯源電容一端接所述總源極端，另一端接第一正反饋結(jié)構(gòu)第一襯底端；所述第二電阻一端接差分信號(hào)負(fù)輸入端，另一端接第一正反饋結(jié)構(gòu)第二襯底端；所述第二電容正極接第一正反饋結(jié)構(gòu)第二襯底端，負(fù)極接地；所述第二襯源電容一端接所述總源極端，另一端接第一正反饋結(jié)構(gòu)第二襯底端。

優(yōu)選地，所述第一電阻和所述第二電阻的值為500kΩ；所述第一電容和第二電容的值為200fF；所述第一襯源電容和所述第二襯源電容的值為3pF。

作為本發(fā)明進(jìn)一步優(yōu)化的實(shí)施例，所述低敏感度襯底輸入放大器包含所述改進(jìn)正反饋結(jié)構(gòu)、還包含第二個(gè)所述正反饋結(jié)構(gòu)(簡(jiǎn)稱第二正反饋結(jié)構(gòu))；所述第一正反饋結(jié)構(gòu)的第一漏極端和第二正反饋結(jié)構(gòu)的第一漏極端相連；所述第一正反饋結(jié)構(gòu)的第二漏極端和第二正反饋結(jié)構(gòu)的第二漏極端相連；所述第一正反饋結(jié)構(gòu)的第一柵極端和第二正反饋結(jié)構(gòu)的第一柵極端相連；所述第一正反饋結(jié)構(gòu)的第二柵極端和第二正反饋結(jié)構(gòu)的第二柵極端相連；所述差分信號(hào)正輸入端接第二正反饋結(jié)構(gòu)的第一襯底端；所述差分信號(hào)負(fù)輸入端接第二正反饋結(jié)構(gòu)的第二襯底端。