[發(fā)明專(zhuān)利]IGBT驅(qū)動(dòng)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611091639.0
• 申請(qǐng)日: 2016-12-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108134510B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李廣大;胡朝峰;殷岳;周三國(guó);翟輝冬;宋菊
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海汽車(chē)集團(tuán)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H02M1/08
• 分類(lèi)號(hào): H02M1/08
• 代理公司: 北京信遠(yuǎn)達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11304
• 代理人: 魏曉波

1.一種IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括：

信號(hào)隔離電路，適于外接控制電壓并對(duì)其進(jìn)行隔離，以得到第一控制電壓；放大電路，適于對(duì)所述第一控制電壓進(jìn)行放大，其輸出端輸出第二控制電壓；

信號(hào)調(diào)理電路，適于根據(jù)所述第二控制電壓產(chǎn)生第三控制電壓，以控制IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷，所述第三控制電壓是可配置的；

所述信號(hào)調(diào)理電路包括：

第一電阻，其第一端接入電源電壓；

依次串聯(lián)的第二電阻、第三電阻和第四電阻，所述第二電阻的第一端耦接所述第一電阻的第二端，所述第四電阻的第二端接地；

第一晶體管，其基極耦接所述第一電阻的第二端，其一端接入所述電源電壓，其另一端作為所述信號(hào)調(diào)理電路的輸出端，輸出所述第三控制電壓；

第二晶體管，其基極耦接所述第三電阻的第二端，其一端耦接所述第一晶體管的另一端，其另一端接地；

通過(guò)配置所述電源電壓，配置所述第三控制電壓；

所述信號(hào)調(diào)理電路還包括：

第五電阻，其第一端耦接電源電壓；

第六電阻，其第一端耦接所述第五電阻的第二端，其第二端接地；

第七電阻，其第一端接入所述電源電壓；

第一二極管，其陰極耦接所述第七電阻的第二端，并作為所述信號(hào)調(diào)理電路的第一輸出端；

第二二極管，其陰極耦接所述第一二極管的陽(yáng)極，其陽(yáng)極耦接所述第五電阻的第二端并作為所述信號(hào)調(diào)理電路的第二輸出端；

所述信號(hào)調(diào)理電路還包括：

第三二極管，其陰極接入所述電源電壓；

第一電容，其第一端耦接所述第三二極管的陽(yáng)極；

第八電阻，其第一端耦接所述第一電容的第二端，其第二端耦接所述放大電路的輸出端；

第九電阻，其第一端耦接所述放大電路的輸出端；

第二電容，其第一端耦接所述第九電阻的第二端；

第四二極管，其陰極耦接所述第二電容的第二端，其陽(yáng)極接地。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，還包括：

開(kāi)關(guān)控制電路，耦接所述信號(hào)調(diào)理電路的第一輸出端和第二輸出端，適于根據(jù)所述信號(hào)調(diào)理電路的第一輸出端和第二輸出端輸出的電壓分別產(chǎn)生第四控制電壓和第五控制電壓，以分別控制IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)控制電路包括第一MOS管和第二MOS管；其中，所述第一MOS管的柵極耦接所述信號(hào)調(diào)理電路的第一輸出端，所述第一MOS管的一端耦接電源電壓，所述第一MOS管的另一端耦接IGBT的基極；所述第二MOS管的柵極耦接所述信號(hào)調(diào)理電路的第二輸出端，所述第二MOS管的一端接地，所述第二MOS管的另一端耦接IGBT的基極。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，當(dāng)所述第二控制電壓為高電平時(shí)，所述第一晶體管截止，所述第三電阻與所述第四電阻通過(guò)分壓使所述第二晶體管的基極與地之間存在壓差，所述第二晶體管導(dǎo)通，所述第一二極管的陽(yáng)極經(jīng)由所述第二晶體管接地，所述第一二極管被擊穿，所述第一二極管的陰極電壓控制所述第一MOS管導(dǎo)通，所述電源電壓經(jīng)由所述第一MOS管為IGBT提供基極電壓，控制IGBT導(dǎo)通；當(dāng)所述第二控制電壓為低電平時(shí)，所述第二晶體管截止，所述第一電阻與所述第二電阻的分壓使得所述第一晶體管的基極與所述電源電壓之間存在壓差，所述第一晶體管導(dǎo)通，所述第二二極管的陰極經(jīng)由所述第一晶體管接入所述電源電壓，所述第二二極管被擊穿，所述第二二極管的陽(yáng)極電壓控制所述第二MOS管導(dǎo)通，IGBT的基極經(jīng)由所述第二MOS管釋放電荷至地，控制IGBT關(guān)斷。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，通過(guò)配置所述第一二極管和所述第二二極管的穩(wěn)壓值，以對(duì)所述第三控制電壓進(jìn)行配置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，還包括：

監(jiān)測(cè)電路，耦接IGBT的集電極，適于對(duì)IGBT的集電極和發(fā)射極之間的電壓進(jìn)行檢測(cè)，并在檢測(cè)到IGBT異常時(shí)，采取保護(hù)操作。