[發明專利]一種半導體器件及其制造方法有效
| 申請號： | 201611075036.1 | 申請日： | 2016-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN108122750B | 公開（公告）日： | 2020-06-09 |
| 發明（設計）人： | 陳林;黃峰 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3105 | 分類號： | H01L21/3105;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底，所述半導體襯底包括I/O區和核心區；
使用ISSG法在所述半導體襯底上形成第一氧化物介質層；
使用含氫氣體處理所述第一氧化物介質層；
使用包括O3的清洗劑對所述第一氧化物介質層進行預清洗；
刻蝕去除位于核心區的第一氧化物介質層。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氫氣體為氫氣。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，刻蝕去除位于核心區的第一氧化物介質層之前，還包括使用六甲基二硅胺對位于I/O區的第一氧化物介質層進行預處理的步驟。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，刻蝕去除核心區的第一氧化物介質層之后，還包括在位于核心區的半導體襯底上形成第二氧化物介質層的步驟。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，還包括在所述第一氧化物介質層及第二氧化物介質層上形成高K介質層和柵極金屬層的步驟。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，使用含氫氣體處理所述第一氧化物介質層所用的溫度為300-900℃。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，使用含氫氣體處理所述第一氧化物介質層所用的時間為10s-6min。
8.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件采用權利要求1-7中任一項所述的方法制成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
