[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201611069072.7
• 申請日: 2016-11-28
• 公開（公告）號: CN107070438B
• 公開（公告）日: 2022-01-14
• 發明（設計）人: 宮沢繁美
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H03K17/082
• 分類號: H03K17/082
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 王穎;楊敏

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

功率半導體元件，其柵極根據控制信號而被控制；

過電壓檢測部，對所述功率半導體元件的集電極端子側的電壓成為過電壓的情況進行檢測；

截斷部，響應于檢測到所述過電壓，將所述功率半導體元件的柵極控制為關斷電壓；

復位部，響應于使所述功率半導體元件導通的所述控制信號被輸入，在預定的期間內，輸出復位信號；以及

鎖存部，根據所述復位信號而被復位，并將檢測到所述過電壓的狀態進行鎖存，響應于檢測到所述過電壓而產生截斷信號，將所述截斷信號提供給所述截斷部的控制信號輸入端子，

其中，所述截斷部響應于所述鎖存部對檢測到所述過電壓的狀態進行了鎖存，將所述功率半導體元件的柵極控制為關斷電壓。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述復位部在相比于從使所述功率半導體元件導通的所述控制信號被輸入開始至所述功率半導體元件成為導通為止的時間還長的時間段，輸出所述復位信號。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述截斷部響應于檢測到所述過電壓，下拉所述功率半導體元件的柵極。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述過電壓檢測部具有用于生成成為所述過電壓的基準的閾值電壓的齊納二極管、耗盡型MOSFET和反相器之中的至少一個。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述功率半導體元件具有設置于基板的第一面側的集電極端子、以及設置于所述基板的第二面側的柵極端子和發射極端子，

所述過電壓檢測部具有半導體元件，該半導體元件包含設置于所述基板的所述第一面側并與所述功率半導體元件的集電極端子共用的集電極端子、以及設置于所述基板的所述第二面側的柵極端子和發射極端子，所述柵極端子和所述發射極端子電連接。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述功率半導體元件為IGBT或縱型MOSFET。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置是點火器，所述點火器根據所述控制信號來控制流到點火線圈的電流。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述過電壓檢測部在從使所述功率半導體元件導通的所述控制信號被輸入起到使所述功率半導體元件關斷的所述控制信號被輸入為止的期間檢測成為所述過電壓的情況。

9.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，所述過電壓檢測部具有電源端子連接于所述功率半導體元件的柵極并響應于所述控制信號成為高電位而進行動作的反相器或比較器。