[發明專利]垂直存儲器裝置有效
| 申請號: | 201611067114.3 | 申請日: | 2016-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN106910742B | 公開(公告)日: | 2021-12-14 |
| 發明(設計)人: | 尹石重;李星勛;韓智勛;鄭容沅;曹盛純 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/115 | 分類號: | H01L27/115;H01L27/11568;H01L27/11578 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強;田野 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 垂直 存儲器 裝置 | ||
提供一種垂直存儲器裝置及其制造方法。所述裝置可以包括柵極線結構,柵極線結構包括在第一方向上堆疊并在第二方向上延伸的柵極線。所述裝置也可以包括第一臺階圖案結構和第二臺階圖案結構,第一臺階圖案結構包括從柵極線延伸的延伸柵極線并包括第一臺階層,第二臺階圖案結構接觸第一臺階圖案結構,包括延伸柵極線并包括第二臺階層。第n個延伸柵極線(n為偶數)可以設置在每一個第一臺階層的上部處,第n?1個延伸柵極線可以設置在每一個第二臺階層的上部處。第n?1個延伸柵極線的暴露部中的每一個用作焊盤區,焊盤區具有不同的面積。
本申請要求于2015年12月17日在韓國知識產權局(KIPO)提交的第10-2015-0180715號韓國專利申請的優先權,該申請的公開通過引用全部包含于此。
技術領域
示例實施例涉及垂直存儲器裝置及其制造方法。更具體地,示例實施例涉及包括豎直堆疊的柵極線的垂直存儲器裝置及其制造方法。
背景技術
包括豎直堆疊在基底上的多個存儲單元的垂直存儲器裝置已經發展為高集成度。在垂直存儲器裝置中,電信號可以分別施加到垂直堆疊的存儲單元。因此,用于電信號的焊盤結構可以是有益的。
發明內容
垂直存儲器裝置可以包括柵極線結構,柵極線結構包括在基本上垂直于基底的頂表面的第一方向上彼此分隔開的多個柵極線。多個柵極線中的每一個可以在基本上平行于基底的頂表面的第二方向上延伸。垂直存儲器裝置也可以包括在第一方向上延伸穿過多個柵極線的垂直溝道結構和多個延伸柵極線。多個延伸柵極線中的每一個可以從多個柵極線中的一個在第二方向上的邊緣部延伸。垂直存儲器裝置還可以包括第一臺階圖案結構,第一臺階圖案結構包括多個第一臺階層,多個第一臺階層中的每一個可以包括多個延伸柵極線中的距基底第n-1個延伸柵極線和多個延伸柵極線中的距基底第n個延伸柵極線,n可以是等于或大于2的偶數。此外,垂直存儲器裝置可以包括第二臺階圖案結構,第二臺階圖案結構接觸第一臺階圖案結構的側壁并包括多個第二臺階層。多個第二臺階層中的每一個可以包括多個延伸柵極線中的距基底第n-1個延伸柵極線和多個延伸柵極線中的距基底第n個延伸柵極線。多個延伸柵極線的第n個延伸柵極線中的每一個可以在它的在第二方向上的端部處包括凹部,多個延伸柵極線的第n-1個延伸柵極線中的每一個可以包括暴露部,暴露部被直接在多個延伸柵極線的第n-1個延伸柵極線的各個延伸柵極線上方的多個延伸柵極線的第n個延伸柵極線中的一個的凹部暴露。多個延伸柵極線的第n-1個延伸柵極線的暴露部的面積可以不同。
垂直存儲器裝置可以包括柵極線結構,柵極線結構包括在基本上垂直于基底的頂表面的第一方向上彼此分隔開的多個柵極線。多個柵極線中的每一個可以在基本上平行于基底的頂表面的第二方向上延伸。垂直存儲器裝置也可以包括垂直溝道結構。每個垂直溝道結構可以在第一方向上延伸穿過多個柵極線。垂直存儲器裝置還可以包括第一臺階圖案結構,第一臺階圖案結構包括多個延伸柵極線。多個延伸柵極線的每一個可以從多個柵極線中的一個在第二方向上的邊緣部延伸,第一臺階圖案結構可以包括多個第一臺階層,多個第一臺階層中的每一個可以在它的在第二方向上的端部處包括第一焊盤區,每一個第一焊盤區可以包括多個延伸柵極線中的作為相對于基底的最上延伸柵極線的距基底的第n個延伸柵極線,多個延伸柵極線中的第n個延伸柵極線包括在多個第一臺階層的一個中,n可以是等于或大于2的偶數。此外,垂直存儲器裝置可以包括第二臺階圖案結構,第二臺階圖案結構接觸第一臺階圖案結構的側壁并包括多個延伸柵極線。第二臺階圖案結構可以包括多個第二臺階層,多個第二臺階層中的每一個可以在它的在第二方向上的端部處包括第二焊盤區,每一個第二焊盤區可以包括多個延伸柵極線中的作為相對于基底的最上延伸柵極線的距基底的第n-1個延伸柵極線,多個延伸柵極線的第n-1個延伸柵極線包括在多個第二臺階層的一個中。每一個第二焊盤區可以具有圓形拐角,圓形拐角與第一臺階圖案結構和第二臺階圖案結構之間的界面相鄰并與每一個第二焊盤區在第二方向上的邊緣分隔開。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星電子株式會社,未經三星電子株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611067114.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:機載軟件開發過程中引入錯誤的檢測方法和系統
- 下一篇:肩頸按摩器
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





