[發(fā)明專利]互連結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611066883.1
• 申請日: 2016-11-29
• 公開（公告）號: CN108122820B
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何作鵬;朱繼光
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 曲瑞

1.一種互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底結(jié)構(gòu)，所述襯底結(jié)構(gòu)包括襯底和在所述襯底上的第一電介質(zhì)層，所述第一電介質(zhì)層具有延伸到所述襯底的用于第一互連層的開口；

在所述第一電介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述開口的區(qū)域之上形成第一掩模層；

沉積第一金屬層以填充所述開口，并覆蓋所述第一電介質(zhì)層未被所述第一掩模層覆蓋的區(qū)域；其中，所述第一金屬層與所述第一掩模層鄰接的部分作為第二互連層的下部；

去除所述第一掩模層；

形成第二電介質(zhì)層，以覆蓋所述第一金屬層和所述第一電介質(zhì)層暴露的部分，所述第二電介質(zhì)層具有用于第二互連層的溝槽，所述溝槽使得所述第二互連層的下部露出；

在所述溝槽中填充第二金屬層，從而形成第二互連層的上部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述溝槽中填充第二金屬層包括：

在剩余的第二電介質(zhì)層的至少一部分之上形成第二掩模層；

沉積第二金屬層，以填充所述溝槽；

去除所述第二掩模層；

執(zhí)行平坦化工藝，以使得剩余的第二金屬層的上表面與所述第二電介質(zhì)層的上表面基本齊平。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述溝槽中填充第二金屬層包括：

沉積第二金屬層，以填充所述溝槽并覆蓋剩余的第二電介質(zhì)層；

執(zhí)行平坦化工藝，以使得剩余的第二金屬層的上表面與所述第二電介質(zhì)層的上表面基本齊平。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一電介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述開口的區(qū)域之上形成第一掩模層之前，還包括：

在所述襯底結(jié)構(gòu)上形成第一阻擋層，所述第一掩模層形成在所述第一阻擋層之上；

在去除所述第一掩模層之后，還包括：

去除暴露的所述第一阻擋層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在所述第一電介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述開口的區(qū)域之上形成第一掩模層之前，還包括：

在所述第一阻擋層上形成第一籽晶層，所述第一掩模層形成在所述第一籽晶層上；

在去除所述第一掩模層之后，還包括：

去除暴露的所述第一籽晶層。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在剩余的第二電介質(zhì)層的至少一部分之上形成第二掩模層之前，還包括：

在所述剩余的第二電介質(zhì)層、所述溝槽的底部和側(cè)壁上形成第二阻擋層，所述第二掩模層形成在所述第二阻擋層之上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在剩余的第二電介質(zhì)層的至少一部分之上形成第二掩模層之前，還包括：

在所述第二阻擋層上形成第二籽晶層，所述第二掩模層形成在所述第二籽晶層上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過電鍍的方式沉積所述第一金屬層以及通過電鍍的方式在所述溝槽中填充第二金屬層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金屬層和所述第二金屬層包括銅。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一掩模層和所述第二掩模層包括光刻膠。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述開口包括延伸到所述第一電介質(zhì)層中的溝槽和位于該溝槽下的至少一個(gè)通孔。