[發(fā)明專利]一種TFT陣列基板單面蝕刻方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611063306.7
• 申請日: 2016-11-28
• 公開（公告）號: CN106746697B
• 公開（公告）日: 2019-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王徐亮;李偉麗
• 申請（專利權(quán)）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: C03C15/00
• 分類號: C03C15/00
• 代理公司: 北京布瑞知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11505
• 代理人: 孟潭

本發(fā)明公開了一種TFT陣列基板單面蝕刻方法，解決了現(xiàn)有TFT陣列基板單面蝕刻過程中存在通過滲透作用接觸到TFT結(jié)構(gòu)單元的酸液，進(jìn)而造成TFT陣列單元損傷的問題。該方法包括：蝕刻前，在TFT陣列基板上需要保護(hù)的表面貼附耐酸膜；在耐酸膜和需要保護(hù)的表面之間形成氣體隔離帶。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及玻璃基板的薄化方法技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種TFT陣列基板單面蝕刻方法。

背景技術(shù)

參考圖1，為了滿足現(xiàn)有OLED顯示器輕薄短小的要求，通常會對TFT陣列基板10中的玻璃基底102進(jìn)行薄化處理。目前常規(guī)的薄化方法是采用單面蝕刻技術(shù)，即將TFT陣列基板10的上表面B使用耐酸膜保護(hù)起來，然后采用浸漬、噴霧或浸漬噴霧技術(shù)對TFT陣列基板10的玻璃基底102的下表面A進(jìn)行蝕刻，從而得到任意目標(biāo)厚度的TFT陣列基板10。

然而，在進(jìn)行蝕刻的過程中，由于滲透作用的存在，不可避免的會有微量的蝕刻酸液穿過耐酸膜，進(jìn)而對TFT結(jié)構(gòu)單元101造成損傷。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種TFT陣列基板單面蝕刻方法，解決了現(xiàn)有TFT陣列基板單面蝕刻過程中存在通過滲透作用接觸到TFT結(jié)構(gòu)單元的酸液，進(jìn)而造成TFT陣列單元損傷的問題。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT陣列基板單面蝕刻方法，包括：蝕刻前，在TFT陣列基板上需要保護(hù)的表面貼附耐酸膜，在耐酸膜和需要保護(hù)的表面之間形成氣體隔離帶。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT陣列基板單面蝕刻方法，通過在耐酸膜和需要保護(hù)的表面之間形成氣體隔離帶，相比于單純采用耐酸膜而言，減緩了酸液的滲透速度，提高了對TFT陣列單元的保護(hù)力度。

附圖說明

圖1所示為現(xiàn)有TFT陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2所示為本發(fā)明一實(shí)施例提供的TFT陣列基板單面蝕刻方法流程圖。

圖3所示為本發(fā)明一實(shí)施例提供的氣體隔離帶的形成過程示意圖。

圖4所示為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的TFT陣列基板單面蝕刻方法流程圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

圖2所示為本發(fā)明一實(shí)施例提供的TFT陣列基板單面蝕刻方法流程圖。從圖中可以看出，該方法包括：

步驟S101，在TFT陣列基板的上表面貼附耐酸膜。

耐酸膜的選擇很重要，需要考慮到耐酸性、黏性、抗靜電性、易剝離性。耐酸性不好，會導(dǎo)致TFT陣列基板在蝕刻過程中報(bào)廢；黏性不好，會導(dǎo)致耐酸膜在蝕刻過程中脫落，進(jìn)而產(chǎn)品報(bào)廢；抗靜電性不好，將導(dǎo)致在貼膜和后續(xù)的脫膜過程中TFT陣列基板產(chǎn)生靜電不良而報(bào)廢；不易剝離，會導(dǎo)致在后續(xù)的脫膜過程中將TFT電極圖案一起玻璃或者損壞。

優(yōu)選地，本發(fā)明實(shí)施例采用的耐酸膜可以是聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚四氟乙烯(PTFE)中的任一種，當(dāng)然，這里給出的僅是示例性的，并不以此為限。

傳統(tǒng)貼附耐酸膜的過程包括：貼膜—固化—化學(xué)二次強(qiáng)化，而經(jīng)過固化后的耐酸膜和貼附表面之間的粘著力太強(qiáng)，導(dǎo)致后續(xù)通過充氣形成氣體隔離帶變得十分困難。因此，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，只對耐酸膜的四周邊緣進(jìn)行固化。使得耐酸膜的四周邊緣粘著力強(qiáng)，而中間部位粘著力弱，從而確保在蝕刻過程中，四周邊緣不會滲入酸液，同時(shí)，中間部位便于形成氣體隔離帶。