[發明專利]一種TFT陣列基板單面蝕刻方法有效
| 申請號： | 201611063306.7 | 申請日： | 2016-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN106746697B | 公開（公告）日： | 2019-09-03 |
| 發明（設計）人： | 王徐亮;李偉麗 | 申請（專利權）人： | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號： | C03C15/00 | 分類號： | C03C15/00 |
| 代理公司： | 北京布瑞知識產權代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 215300 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 蝕刻 耐酸 氣體隔離帶 表面貼附 滲透作用 酸液 損傷 | ||
1.一種TFT陣列基板單面蝕刻方法，其特征在于，包括：蝕刻前，在TFT陣列基板上需要保護的表面貼耐酸膜，在耐酸膜和需要保護的表面之間形成氣體隔離帶；氣體隔離帶中的氣體壓強大于標準大氣壓；利用充氣的方式在耐酸膜的中間部位形成氣體隔離帶，以將所述氣體隔離帶作為檢測耐酸膜是否存在破損的標尺。
2.如權利要求1所述的TFT陣列基板單面蝕刻方法，其特征在于，所述在TFT陣列基板上需要保護的表面貼耐酸膜，包括：
只對耐酸膜的四周邊緣進行固化。
3.如權利要求1所述的TFT陣列基板單面蝕刻方法，其特征在于，所述在TFT陣列基板上需要保護的表面貼耐酸膜，包括：
采用光敏性亞克力膠作為固化膠水，將耐酸膜貼附在需要保護的表面后，采用紫外光照射耐酸膜的中間部位。
4.如權利要求1所述的TFT陣列基板單面蝕刻方法，其特征在于，氣體隔離帶中的氣體為惰性氣體。
5.如權利要求1所述的TFT陣列基板單面蝕刻方法，其特征在于，在所述耐酸膜上設有充氣孔，利用充氣孔進行充氣形成氣體隔離帶和/或通過TFT陣列基板的上表面和耐酸膜之間的物質的化學反應充氣形成氣體隔離帶。
6.如權利要求1-5中任一所述的TFT陣列基板單面蝕刻方法，其特征在于，所述需要保護的表面包括TFT陣列基板的上表面和/或四周側壁。
7.如權利要求6所述的TFT陣列基板單面蝕刻方法，其特征在于，貼附在TFT陣列基板的上表面的耐酸膜和貼附在四周側壁上的耐酸膜為一整張耐酸膜。
8.如權利要求1所述的TFT陣列基板單面蝕刻方法，其特征在于，所述蝕刻方式為浸漬式、頂部噴灑式、浸漬噴灑式中的任一種。
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