[發明專利]一種曝光控制方法、曝光控制電路及移動終端有效
| 申請號： | 201611062946.6 | 申請日： | 2016-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN106791461B | 公開（公告）日： | 2019-10-18 |
| 發明（設計）人： | 謝蓮花;黃平禮 | 申請（專利權）人： | 維沃移動通信有限公司 |
| 主分類號： | H04N5/235 | 分類號： | H04N5/235 |
| 代理公司： | 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319 | 代理人： | 趙娟 |
| 地址： | 523860 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 曝光 控制 方法 控制電路 移動 終端 | ||
1.一種曝光控制方法，應用于移動終端，其特征在于，包括：
在曝光過程中，分別獲取移動終端的CMOS傳感器中每個像素的不同通道的曝光參數；
根據所述曝光參數，分別對所述每個像素的不同通道進行曝光控制；
其中，所述根據所述曝光參數，分別對所述每個像素的不同通道進行曝光控制的步驟，包括：
分別判斷每一通道的勢阱電荷是否達到飽和；
若所述通道的勢阱電荷達到飽和，則停止對所述通道曝光；
若所述通道的勢阱電荷未達到飽和，則繼續對所述通道進行曝光；
其中，所述若所述通道的勢阱電荷達到飽和，則停止對所述通道曝光的步驟，包括：
若所述通道的勢阱電荷達到飽和，則關閉所述通道對應的行驅動；
其中，每個通道分別連接有一行驅動。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在曝光過程中，分別獲取移動終端的CMOS傳感器中每個像素的不同通道的曝光參數的步驟，包括：
在曝光過程中，分別統計CMOS傳感器中每個像素的不同通道所獲取的勢阱電荷。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述在曝光過程中，分別統計CMOS傳感器中每個像素的不同通道所獲取的勢阱電荷的步驟，包括：
分別采用與每個通道相連接的飽和判斷電路，統計在曝光過程中每個通道的勢阱電荷；
其中，每個通道分別連接有一飽和判斷電路。
4.一種曝光控制電路，應用于移動終端，其特征在于，包括：
CMOS傳感器，所述CMOS傳感器包括至少一個像素，每個像素包括至少一個通道；
分別與每個像素的每一通道連接的行驅動，用于對所述每個像素的每一通道進行曝光控制；
分別與每個像素的每一通道連接的飽和判斷電路，用于判斷每一通道的勢阱電荷是否達到飽和；
其中，所述行驅動還用于在所連接的通道的勢阱電荷達到飽和時，停止對所述通道曝光。
5.一種移動終端，其特征在于，包括：
獲取模塊，用于在曝光過程中，分別獲取移動終端的CMOS傳感器中每個像素的不同通道的曝光參數；
控制模塊，用于根據所述獲取模塊獲取的所述曝光參數，分別對所述每個像素的不同通道進行曝光控制；
其中，所述控制模塊，包括：
判斷子模塊，用于分別判斷每一通道的勢阱電荷是否達到飽和；
控制子模塊，用于若所述通道的勢阱電荷達到飽和，則停止對所述通道曝光；若所述通道的勢阱電荷未達到飽和，則繼續對所述通道進行曝光；
其中，所述控制子模塊，包括：
關閉單元，用于若所述通道的勢阱電荷達到飽和，則關閉所述通道對應的行驅動；
其中，每個通道分別連接有一行驅動。
6.根據權利要求5所述的移動終端，其特征在于，所述獲取模塊，包括：
獲取子模塊，用于在曝光過程中，分別統計CMOS傳感器中每個像素的不同通道所獲取的勢阱電荷。
7.根據權利要求6所述的移動終端，其特征在于，所述獲取子模塊，包括：
統計單元，用于分別采用與每個通道相連接的飽和判斷電路，統計在曝光過程中每個通道的勢阱電荷；
其中，每個通道分別連接有一飽和判斷電路。
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