[發明專利]一種消除寄生振蕩的49S石英晶體諧振器的制備方法

在審

• 申請號: 201611056946.5
• 申請日: 2016-11-26
• 公開（公告）號: CN106656089A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 毛毅
• 申請（專利權）人: 珠海東精大電子科技有限公司
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;H03H3/04
• 代理公司: 廣州市紅荔專利代理有限公司44214
• 代理人: 王賢義

1.一種消除寄生振蕩的49S石英晶體諧振器的制備方法，其特征在于：它包括以下步驟：

a.對晶片的長寬尺寸重新設計，消除晶片的寄生雜波；

b.設計石英晶片在研磨機上進行粗、中、細精細研磨間的頻率預留量，消除上道研磨工序造成的晶片表面破壞層；

c.根據設定的返回頻率得出合適的腐蝕頻率后，利用酸性溶液對研磨后的石英晶片進行深度腐蝕；

d.在低真空條件下，采用氮離子對石英晶片的表面進行轟擊，清潔石英晶片的表面；

e.對電極尺寸重新設計，進一步抑制電極尺寸寄生波的產生；

f. 通過石英晶片的腐蝕頻率和晶體諧振器頻率差來確定膜層厚度之后進行鍍膜，形成引出電極，并使其頻率達到規定范圍；

g.將鍍膜后的石英晶片裝在基座上，點上導電膠并高溫固化，得到所49S石英晶體諧振器。

2.根據權利要求1所述的一種消除寄生振蕩的49S石英晶體諧振器的制備方法，其特征在于，所述方法還包括以下步驟：

h.使用干式清洗裝置對石英晶片上的附著異物進行進一步掃除；

i.采用氬離子轟擊晶體表面的電極，將多余的膜層材料打下來；

j.將基座與外殼放置在充滿氮氣的環境中進行封焊。

3.根據權利要求1所述的一種消除寄生振蕩的49S石英晶體諧振器的制備方法，其特征在于：所述步驟a中，所述晶片尺寸設計為6.490×1.730。

4.根據權利要求1所述的一種消除寄生振蕩的49S石英晶體諧振器的制備方法，其特征在于：所述步驟e中，所述電極包括上電極和下電極，所述上電極的設計尺寸為6.5×1.75×0.06×2.2×1.4，可有效抑制寄生波所述下電極的設計尺寸為6.5×1.75×0.06×2.49×1.65。

5.根據權利要求1所述的一種消除寄生振蕩的49S石英晶體諧振器的制備方法，其特征在于：所述步驟b中，所述頻率預留量設計為WA4000#23750±100

KHz。

6.根據權利要求1所述的一種消除寄生振蕩的49S石英晶體諧振器的制備方法，其特征在于：所述步驟c中，所述返回頻率由以下公式推導可得：

Δ=2*ρe*ζe/ρ*tF，式中，ρe為電極金屬的密度、ζe單面電極的厚度、ρ為水晶的密度、 T_f為腐蝕后石英片的厚度。

7.根據權利要求1所述的一種消除寄生振蕩的49S石英晶體諧振器的制備方法，其特征在于：所述步驟c中，所述腐蝕厚度為0.04mm，所述酸性溶液為HF溶液或NH₄HF₂溶液中的至少一種,所述酸性溶液的工作溫度為65°C。

8.根據權利要求1所述的一種消除寄生振蕩的49S石英晶體諧振器的制備方法，其特征在于：所述步驟c與所述步驟d之間還包括用清水對腐蝕過的石英晶片進行清洗并烘干的步驟。

9.根據權利要求1所述的一種消除寄生振蕩的49S石英晶體諧振器的制備方法，其特征在于：所述步驟d中，所述低真空條件是指1pa～2pa的壓力下。

10.根據權利要求7所述的一種消除寄生振蕩的49S石英晶體諧振器的制備方法，其特征在于：所述腐蝕頻率為24400KHz。