[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201611055735.X
• 申請日: 2016-11-25
• 公開（公告）號: CN106920787B
• 公開（公告）日: 2021-12-07
• 發明（設計）人: 陳承先;黃育智;陳玉芬;潘國龍;鄭余任;李明機;普翰屏;張緯森
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 路勇

1.一種半導體裝置，其包括：

半導體襯底；

導電墊，其位于所述半導體襯底上；

第一電介質，其位于所述半導體襯底上方；

導電層，其放置于所述第一電介質中，其中所述導電層包括連接到延伸部分的C形環，所述延伸部分是延展的RDL；

第二電介質，其放置于所述導電層上，其中所述導電層的至少一部分從所述第一電介質及所述第二電介質暴露；

模塑料，其環繞所述半導體襯底及所述第一電介質；及

導電跡線，其部分地位于所述第二電介質上方且與所述導電層的所述至少一部分接觸，其中所述導電跡線在一端處連接到所述導電墊且與所述導電墊直接接觸，所述模塑料包括從所述模塑料與所述半導體襯底之間的界面凹陷的拐角，且所述第一電介質延伸到從所述模塑料的所述界面凹陷的所述拐角中。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述導電層是鈍化后互連件PPI。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其進一步包括部分地覆蓋所述導電墊的鈍化物。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述導電層接近于所述第二電介質。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述導電跡線包括平行于所述導電墊的兩個側。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中所述兩個側中的一者與所述第二電介質接觸。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述導電層的所述至少一部分接近于所述第一電介質的拐角。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述導電跡線沿著所述第一電介質中的凹槽保形地走線。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述導電跡線沿著所述第二電介質中的凹槽保形地走線。

10.一種半導體裝置，其包括：

半導體襯底；

導電墊，其位于所述半導體襯底上；

電介質，其位于所述半導體襯底上方；

導電層，其放置于所述電介質中，其中所述導電層包括連接到延伸部分的C形環，所述延伸部分是延展的RDL；

模塑料，其環繞所述半導體襯底、所述導電墊及所述電介質；及

導電跡線，其沿著所述電介質中的凹槽走線，其中所述導電跡線在一端處連接到所述導電墊且與所述導電墊直接接觸，其中所述模塑料包括從所述模塑料與所述半導體襯底之間的界面凹陷的拐角，且所述電介質延伸到從所述模塑料的所述界面凹陷的所述拐角中。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中所述模塑料的頂部表面與所述電介質的頂部表面共面。

12.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中所述電介質的一部分位于所述模塑料上方。

13.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中所述導電層的一部分從所述電介質暴露且與所述導電跡線接觸。

14.根據權利要求13所述的半導體裝置，其中所述導電跡線的至少部分位于所述導電層上方，且所述導電墊位于所述導電層下方。