[發明專利]包括堆疊的半導體芯片的半導體器件

有效

• 申請號: 201611051121.4
• 申請日: 2016-11-24
• 公開（公告）號: CN107017271B
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發明（設計）人: 金東賢;權杜原
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 屈玉華;張波

1.一種半導體器件，包括：

芯片層疊結構，包括第一半導體芯片和堆疊在所述第一半導體芯片上的第二半導體芯片，

其中所述第一半導體芯片包括：

第一基板；

在所述第一基板的前表面上的第一電路層；和

在所述第一電路層上的第一連接層，所述第一連接層包括電連接到所述第一電路層的第一金屬墊，

其中所述第二半導體芯片包括：

第二基板；

在所述第二基板的前表面上的第二電路層；和

在所述第二電路層上的第二連接層，所述第二連接層包括電連接到所述第二電路層的第二金屬墊，

其中所述第一連接層和所述第二連接層彼此面對，

其中所述第一金屬墊和所述第二金屬墊彼此接觸以將所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片彼此聯接，

其中所述第一金屬墊包括通過第一隔板彼此分開的多個第一金屬墊部分，和

其中所述第二金屬墊包括通過第二隔板彼此分開的多個第二金屬墊部分。

2.如權利要求1所述的半導體器件，當從平面圖看時，所述第一金屬墊和所述第二金屬墊的每個具有矩形形狀，和

其中所述第一金屬墊和所述第二金屬墊彼此交叉。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其中，在所述第一金屬墊和所述第二金屬墊的其中所述第一金屬墊和所述第二金屬墊交叉的區域中，所述多個第一金屬墊部分的至少一個與所述多個第二金屬墊部分的至少一個接觸。

4.如權利要求2所述的半導體器件，其中所述多個第一金屬墊部分布置在所述第一金屬墊的長軸方向上，

其中每個所述第一隔板在所述多個第一金屬墊部分中彼此相鄰的第一金屬墊部分之間，

其中所述多個第二金屬墊部分布置在所述第二金屬墊的長軸方向上，和

其中每個所述第二隔板在所述多個第二金屬墊部分中彼此相鄰的第二金屬墊部分之間。

5.如權利要求4所述的半導體器件，其中所述第一金屬墊具有在所述第一金屬墊的所述長軸方向上的第一長度和在所述第一金屬墊的短軸方向上的第一寬度，和

其中所述第一長度與所述第一寬度的比是2或更大。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一連接層還包括：

圍繞所述第一金屬墊的第一上部絕緣層；和

在所述第一上部絕緣層上并暴露所述第一金屬墊的第一接合絕緣層，

其中所述第二連接層還包括：

圍繞所述第二金屬墊的第二上部絕緣層；和

在所述第二上部絕緣層上并暴露所述第二金屬墊的第二接合絕緣層，和

其中所述第一接合絕緣層與所述第二接合絕緣層接觸。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其中空氣間隙在所述第一金屬墊和所述第二接合絕緣層之間或在所述第二金屬墊和所述第一接合絕緣層之間。

8.如權利要求6所述的半導體器件，其中所述第一電路層包括：第一集成電路；和電連接到所述第一集成電路的第一金屬線，

其中所述第二電路層包括：第二集成電路；和電連接到所述第二集成電路的第二金屬線，

其中所述第一金屬墊穿透所述第一上部絕緣層以接觸至少一條所述第一金屬線，和

其中所述第二金屬墊穿透所述第二上部絕緣層以接觸至少一條所述第二金屬線。

9.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一半導體芯片是邏輯芯片，和

其中所述第二半導體芯片是像素陣列芯片。

10.如權利要求9所述的半導體器件，其中所述第二半導體芯片還包括：

在所述第二基板中的至少一個光電轉換部分；和

在所述第二基板的后表面上的微透鏡，

其中所述第二基板的所述后表面與所述第二基板的所述前表面相反。