[發明專利]一種高階溫度補償的帶隙基準電路

有效

• 申請號: 201611051062.0
• 申請日: 2016-11-23
• 公開（公告）號: CN106406412B
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發明（設計）人: 喬明;丁立文;盧璐;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙)51232
• 代理人: 葛啟函

技術領域

本發明屬于集成電路領域，特別涉及一種高階溫度補償的帶隙基準電路。

背景技術

帶隙基準電路用于產生與溫度無關的參考電壓，是模擬集成電路中的重要模塊，普遍應用于模數轉換器(ADC)、數模轉換器(DAC)、低壓差線性穩壓器(LDO)等領域。高性能的帶隙基準電路是設計的關鍵技術之一，它的精度直接決定了整個系統的精度。

傳統的一階溫度補償的帶隙基準電路如圖1所示，其基本原理是利用具有正溫度系數的熱電壓V_T與具有負溫度系數的三極管基極-發射極電壓V_BE加權求和，從而得到零溫度系數的基準電壓。由于熱電壓V_T的溫度系數是一個固定值，而V_BE的溫度系數本身會隨著溫度的變化而變化，所以該方法得到的基準電壓只能實現一階溫度補償。

發明內容

針對上述不足，本發明提供了一種高階溫度補償的帶隙基準電路，對比傳統的一階溫度補償，本發明增加了非線性的溫度補償以及電壓調整電路，降低了帶隙基準電壓的溫度系數，提高了基準電壓的精確度，能滿足更高精度的應用需求。

本發明的技術方案如下：

一種高階溫度補償的帶隙基準電路，包括電壓調整電路和帶隙基準電路，其特征在于，所述帶隙基準電路包括第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7、第八PMOS管MP8、二極管D1、第一三極管Q1、第二三極管Q2、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5和第九電阻R0；

第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7和第八PMOS管MP8的源極相連并作為帶隙基準電路的輸出端輸出電壓信號VREF，第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7和第八PMOS管MP8的柵極相連并連接第一三極管Q1的集電極，第六PMOS管MP6的漏極與柵極互連；第一三極管Q1的基極通過第九電阻R0后與第二三極管Q2的基極連接，第二三極管Q2的集電極連接第七PMOS管MP7的漏極；第一三極管Q1的發射極通過第一電阻R1后連接第二三極管Q2的發射極；第二電阻R2接在第二三極管Q2的發射極和地GND之間；第三電阻R3接在第二三極管Q2的基極和地GND之間；第二三極管Q2的基極通過第四電阻R4和第五電阻R5的串聯結構后與第八PMOS管MP8的源極連接；二極管D1的正向端接第八PMOS管MP8的漏極，其負向端接第四電阻R4和第五電阻R5的串聯點。

具體的，所述電壓調整電路包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MPS1、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MNS1、第五NMOS管MNS2、第六NMOS管MNS3、第六電阻R6、第七電阻R7、第八電阻R8、第三三極管Q3、第四三極管Q4、第五三極管Q5、第一電容C1和第二電容C2；