[發明專利]一種IGBT模塊管殼及其制作方法

在審

• 申請號: 201611046882.0
• 申請日: 2016-11-23
• 公開（公告）號: CN108091637A
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發明（設計）人: 陳俊;黎小林;李義;萬超群;宋自珍;王真;李炘;陳彥
• 申請（專利權）人: 南方電網科學研究院有限責任公司;中國南方電網有限責任公司電網技術研究中心;株洲中車時代電氣股份有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L23/02
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

本發明公開了一種IGBT模塊管殼及其制作方法，涉及IGBT模塊技術領域，可在提升防宇宙射線能力的前提下便于IGBT模塊的使用。該IGBT模塊管殼包括本體，所述本體上設有防宇宙射線能力強于所述本體的防宇宙射線物質。本發明IGBT模塊管殼用于防止高能射線對IGBT芯片的轟擊。

技術領域

本發明涉及IGBT模塊技術領域，尤其涉及一種IGBT模塊管殼及其制作方法。

背景技術

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)模塊可應用于大型海上風電、深海裝備、國防軍工以及航天航空等特殊領域，當應用于航天航空領域時，環境中存在大量的宇宙射線，而現有的IGBT模塊管殼使用的常規金屬和非金屬材料的防宇宙射線能力很弱，為了防止高能射線對管殼內的IGBT芯片頻繁轟擊造成IGBT芯片損傷，通常需要大幅增加管殼的厚度來提升管殼的防宇宙射線能力，這導致IGBT模塊的體積和重量成倍增加，給IGBT模塊的使用帶來了極大的不便。

發明內容

本發明的實施例提供一種IGBT模塊管殼及其制作方法，可在提升防宇宙射線能力的前提下便于IGBT模塊的使用。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

一種IGBT模塊管殼，包括本體，所述本體上設有防宇宙射線能力強于所述本體的防宇宙射線物質。

進一步的，所述本體包括頂壁、底壁以及位于所述頂壁和所述底壁之間的環狀側壁，所述頂壁、所述底壁以及所述側壁上均設有所述防宇宙射線物質。

進一步的，所述防宇宙射線物質分散于所述頂壁、所述底壁以及所述側壁內。

進一步的，所述頂壁、所述底壁以及所述側壁上均設有由所述防宇宙射線物質制成的層狀結構。

進一步的，所述防宇宙射線物質分散于所述頂壁和所述底壁內，所述側壁上設有由所述防宇宙射線物質制成的層狀結構。

進一步的，分散于所述頂壁和所述底壁內的所述防宇宙射線物質可導電。

進一步的，位于所述側壁上的所述層狀結構的表面絕緣。

進一步的，位于所述頂壁和所述底壁上的所述層狀結構可導電。

本發明實施例還提供了一種用于制作上述IGBT模塊管殼的方法，所述方法包括：將用于制作所述本體的材料加熱至熔融狀態；在所述熔融狀態的材料中添加所述防宇宙射線物質，并攪拌混合；用混合后的材料成型出所述IGBT模塊管殼。

本發明實施例還提供了一種用于制作上述IGBT模塊管殼的方法，所述方法包括：將所述防宇宙射線物質制作成板狀結構；將所述板狀結構固定于所述本體上。

本發明實施例提供的IGBT模塊管殼，由于所述本體上設有防宇宙射線能力強于所述本體的防宇宙射線物質，因此可提升本體的防宇宙射線能力，從而無需大幅增加本體的厚度，進而緩解了IGBT模塊的體積和重量成倍增加的問題，也就便于了IGBT模塊的使用。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例IGBT模塊管殼的結構示意圖之一；

圖2為本發明實施例IGBT模塊管殼的結構示意圖之二。

具體實施方式