[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611046649.2
• 申請日: 2016-11-23
• 公開（公告）號: CN107039401A
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳顥;徐振翔;林鴻志;彭經(jīng)能;王敏哲
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;G01R31/26
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,李偉

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實施例涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地涉及半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

涉及半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備對于許多現(xiàn)代化的應(yīng)用來說是必不可少的。材料和設(shè)計中的技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)產(chǎn)生了多代半導(dǎo)體器件，其中，每一代都比上一代具有更小和更復(fù)雜的電路。在進(jìn)步和創(chuàng)新過程中，功能密度(即，每芯片面積的互連器件的數(shù)量)通常增大，而幾何尺寸(即，可以使用制造工藝創(chuàng)建的最小組件)減小。這些進(jìn)步增加了處理和制造半導(dǎo)體器件的復(fù)雜程度。

隨著技術(shù)演變，鑒于電路的小尺寸以及功能和數(shù)量的增加，器件的設(shè)計變得更加復(fù)雜。在這種小且高性能的半導(dǎo)體器件內(nèi)實施多個制造操作。小型化規(guī)模的半導(dǎo)體器件的制造變得更加復(fù)雜，并且制造的復(fù)雜程度的增加可以導(dǎo)致諸如高產(chǎn)量損失、電互連的不良的可靠性、低測試覆蓋范圍等的缺陷。因此，需要不斷修改電子設(shè)備中的器件的結(jié)構(gòu)和制造方法，以提高器件魯棒性(robustness)以及降低制造成本和處理時間。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實施例提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：半導(dǎo)體襯底；以及互連件，位于所述半導(dǎo)體襯底上，所述互連件包括：電介質(zhì)，位于所述互連件的最上層中；多個導(dǎo)電焊盤，其中，所述多個導(dǎo)電焊盤中的每一個都從所述電介質(zhì)至少部分地暴露；和電流傳感器，與所述多個導(dǎo)電焊盤中的至少一個電耦合。

本發(fā)明的實施例還提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：第一管芯；第二管芯，與所述第一管芯電通信；電介質(zhì)，將所述第一管芯和所述第二管芯包圍在集成封裝件中，其中，所述第一管芯和所述第二管芯中的至少一個包括：半導(dǎo)體襯底；和互連件，位于所述半導(dǎo)體襯底上，所述互連件包括：電介質(zhì)，位于所述互連件的最上層中；多個導(dǎo)電焊盤，其中，所述多個導(dǎo)電焊盤中的每一個都從所述電介質(zhì)至少部分地暴露；以及電流傳感器，與所述多個導(dǎo)電焊盤中的至少一個電耦合。

本發(fā)明的實施例還提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：半導(dǎo)體襯底；第一導(dǎo)電焊盤，位于所述半導(dǎo)體襯底上方，其中，所述第一導(dǎo)電焊盤的最大尺寸小于40um；以及電路，電耦合至所述第一導(dǎo)電焊盤，并且所述電路配置為檢測流經(jīng)所述第一導(dǎo)電焊盤的電流。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時，根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以最佳地理解本發(fā)明的各個方面。應(yīng)該強調(diào)，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1是根據(jù)一些實施例的示出了半導(dǎo)體封裝件的示意圖。

圖2是根據(jù)一些實施例的示出了非探測的(un-probed)焊盤的布置的示意圖。

圖3是根據(jù)一些實施例的測試電路的放大圖。

圖4A是根據(jù)一些實施例的6位電流傳感器的示意圖。

圖4B是根據(jù)一些實施例的多位電流傳感器的示意圖。

圖5是根據(jù)一些實施例的測試電路的示意圖。

圖6是根據(jù)一些實施例的示出了半導(dǎo)體封器件的示意圖。

圖7至圖10是根據(jù)一些實施例的示出了已知良好管芯(KGD)的示意圖。

圖11A是根據(jù)一些實施例的示出了測試方法的流程圖。

圖11B至圖11D是根據(jù)一些實施例的示出了用于圖11A的測試方法的操作步驟的示意圖。

圖12A和圖12B是根據(jù)一些實施例的示出了測試方法的示意圖。

圖13是根據(jù)一些實施例的示出了多輸出(fan-out)半導(dǎo)體封裝件的示意圖。

具體實施方式

以下公開內(nèi)容提供了許多不同實施例或?qū)嵗糜趯崿F(xiàn)所提供主題的不同特征。以下將描述組件和布置的具體實例以簡化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅是實例并且不意欲限制本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸的實施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之間的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接觸的實施例。而且，本發(fā)明在各個實例中可以重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)僅是為了簡明和清楚，其自身并不表示所論述的各個實施例和/或配置之間的關(guān)系。

此外，為了便于描述，本文中可以使用諸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…上面”、“上部”等的空間關(guān)系術(shù)語，以描述如圖中所示的一個元件或部件與另一元件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間關(guān)系術(shù)語旨在包括器件在使用或操作過程中的不同方位。裝置可以以其他方式定位(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位)，并且在本文中使用的空間關(guān)系描述符可以同樣地作相應(yīng)地解釋。