[發(fā)明專利]掩模圖形的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611046349.4
• 申請日: 2016-11-23
• 公開（公告）號: CN108091553B
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張海洋;王彥
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033
• 代理公司: 中國貿(mào)促會專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 張海強

1.一種掩模圖形的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底結(jié)構(gòu)，所述襯底結(jié)構(gòu)包括：待刻蝕材料層；在所述待刻蝕材料層的一部分上的第一犧牲層；以及在所述待刻蝕材料層的表面以及在所述第一犧牲層的表面和側(cè)面上的掩模層；所述第一犧牲層的側(cè)面包括第一側(cè)面、與所述第一側(cè)面相對的第二側(cè)面、第三側(cè)面和與所述第三側(cè)面相對的第四側(cè)面；

形成第二犧牲層，以覆蓋在所述待刻蝕材料層的表面上的掩模層以及在所述第一犧牲層的側(cè)面上的掩模層，所述第二犧牲層的上表面與在所述第一犧牲層的表面上的掩模層的上表面基本齊平、且高于所述第一犧牲層的上表面，并且所述第二犧牲層和所述第一犧牲層的材料相同；

對露出的掩模層進行回刻，以暴露所述第一犧牲層；

去除所述第一犧牲層和所述第二犧牲層；

通過帶狀等離子體定向刻蝕工藝去除在所述待刻蝕材料層的表面上水平方向上的掩模層，其中，豎直方向上的掩模層被去除的厚度小于水平方向上的掩模層的厚度；

在去除在所述待刻蝕材料層的表面上水平方向上的掩模層后，通過帶狀等離子體定向刻蝕工藝去除在所述第一側(cè)面和所述第二側(cè)面上的掩模層，或者去除在所述第三側(cè)面和所述第四側(cè)面上的掩模層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成第二犧牲層包括：

在所述襯底結(jié)構(gòu)上沉積犧牲材料層；

對所述犧牲材料層進行平坦化，以使得剩余的犧牲材料層的上表面與在所述第一犧牲層的表面上的掩模層的上表面基本齊平，所述剩余的犧牲材料層作為所述第二犧牲層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成第二犧牲層包括：

在所述襯底結(jié)構(gòu)上沉積犧牲材料層；

對所述犧牲材料層進行回刻，以使得剩余的犧牲材料層的上表面與在所述第一犧牲層的表面上的掩模層的上表面基本齊平，所述剩余的犧牲材料層作為所述第二犧牲層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述待刻蝕材料層包括半導(dǎo)體襯底和在所述半導(dǎo)體襯底上的硬掩模層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，還包括：

以剩余的掩模層為掩模對所述硬掩模層進行刻蝕，從而形成圖案化的硬掩模層；

以所述圖案化的硬掩模層為掩模對所述半導(dǎo)體襯底進行刻蝕。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

以剩余的掩模層為掩模對所述待刻蝕材料層進行刻蝕。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一犧牲層和所述第二犧牲層的材料包括多晶硅；

所述掩模層的材料包括硅的氮化物、硅的氧化物或硅的氮氧化物。