[發(fā)明專利]鋁合金的形成方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611045366.6 | 申請(qǐng)日： | 2016-11-24 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN108103326A | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-06-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 姚力軍;潘杰;相原俊夫;王學(xué)澤;鐘偉攀 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 寧波江豐電子材料股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C22C1/02 | 分類號(hào)： | C22C1/02;C22C21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吳敏 |
| 地址： | 315400 浙江省寧波*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 鋁合金 鋁熔化 鎢粉 鋁合金熔化 擴(kuò)散處理 鑄錠 | ||
1.一種鋁合金的形成方法，其特征在于，包括：
提供鋁熔化液和鎢粉；
將所述鎢粉置于鋁熔化液中；
將所述鎢粉置于鋁熔化液中后，進(jìn)行擴(kuò)散處理，形成鋁合金熔化液；
對(duì)所述鋁合金熔化液進(jìn)行鑄錠，形成鋁合金。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁合金的形成方法，其特征在于，在將所述鎢粉置于鋁熔化液中之前，還包括：將所述鎢粉設(shè)置為一個(gè)或者多個(gè)鎢粉團(tuán)；采用鋁保護(hù)層包裹所述鎢粉團(tuán)；
將所述鎢粉置于鋁熔化液中的方法包括：將所述包裹有鋁保護(hù)層的鎢粉團(tuán)置于鋁熔化液中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鋁合金的形成方法，其特征在于，所述鋁保護(hù)層包括鋁箔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鋁合金的形成方法，其特征在于，所述鋁箔的厚度為0.5mm～1.0mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鋁合金的形成方法，其特征在于，所述鋁保護(hù)層的純度在99％以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鋁合金的形成方法，其特征在于，將所述包裹有鋁保護(hù)層的鎢粉團(tuán)置于鋁熔化液中之前，將包裹有鋁保護(hù)層的鎢粉團(tuán)烘干。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鋁合金的形成方法，其特征在于，各個(gè)鎢粉團(tuán)中鎢粉的重量為10克～20克。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鋁合金的形成方法，其特征在于，所述鎢粉團(tuán)的數(shù)量為多個(gè)；將多個(gè)包裹有鋁保護(hù)層的鎢粉團(tuán)分散置于鋁熔化液中。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁合金的形成方法，其特征在于，所述鎢粉的粒度為2um～10um。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁合金的形成方法，其特征在于，所述鎢粉的純度在99.5％以上。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁合金的形成方法，其特征在于，所述鋁熔化液的形成方法包括：提供鋁源；將鋁源熔化，形成鋁熔化液。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的鋁合金的形成方法，其特征在于，熔化所述鋁源的溫度為750攝氏度～900攝氏度。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的鋁合金的形成方法，其特征在于，所述鋁源的純度在99.5％以上。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁合金的形成方法，其特征在于，進(jìn)行所述擴(kuò)散處理包括：進(jìn)行保溫處理。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的鋁合金的形成方法，其特征在于，所述保溫處理的參數(shù)包括：采用的溫度為750攝氏度～900攝氏度，采用的時(shí)間為6小時(shí)～10小時(shí)。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的鋁合金的形成方法，其特征在于，進(jìn)行所述擴(kuò)散處理還包括：在進(jìn)行所述保溫處理的過(guò)程中，對(duì)所述鋁合金熔化液進(jìn)行攪拌處理。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁合金的形成方法，其特征在于，進(jìn)行所述擴(kuò)散處理之前，還包括：提供附加元素源；將所述附加元素源置于鋁熔化液中。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的鋁合金的形成方法，其特征在于，所述附加元素源為銅源、鐵源、錳源中的一種或多種。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的鋁合金的形成方法，其特征在于，所述附加元素源為粉末狀或塊狀。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的鋁合金的形成方法，其特征在于，所述附加元素源的純度在99.5％以上。
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