[發明專利]一種(n，n-1)型碳納米管水平陣列及其制備方法

有效

• 申請號: 201611044393.1
• 申請日: 2016-11-22
• 公開（公告）號: CN108085656B
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發明（設計）人: 張錦;張樹辰
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: C23C16/26
• 分類號: C23C16/26;C23C16/02;B82Y40/00
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 關暢;王春霞

1.一種（n，n-1）型碳納米管水平陣列的制備方法，包括如下步驟：

1）將氫氧化鐵、氫氧化鈷或氫氧化鎳轉移至基底上；

所述基底為單晶基底；

2）采用氫氣對所述氫氧化鐵、氫氧化鈷或氫氧化鎳進行還原；

3）所述還原步驟結束后，繼續通入所述氫氣并引入碳源氣進行生長，即得所述（n，n-1）型碳納米管水平陣列，n為10~22之間的自然數；

所述碳源氣為甲烷、乙烯或乙醇蒸氣；

所述碳源氣的通入方式為下述1）或2）：

1）當所述碳源氣為甲烷或乙烯時，采用直接引入的方式；

2）當所述碳源氣為乙醇蒸氣，采用由氬氣引入的方式；

所述碳源氣的通入速率為10～30sccm；

所述氫氣的通入速率為300～400sccm；

所述生長的條件如下：

溫度為700～950℃；

時間為1~2h。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：步驟1）中，轉移所述氫氧化鐵、所述氫氧化鈷或所述氫氧化鎳的方式為：

將氫氧化鐵膠體的醇溶液、氫氧化鈷膠體的醇溶液或氫氧化鎳膠體的醇溶液旋涂于所述基底上；

所述氫氧化鐵膠體的醇溶液、所述氫氧化鈷膠體的醇溶液或所述氫氧化鎳膠體的醇溶液的摩爾濃度為0.01～0.1mM；

所述旋涂的速率為2200～2700r/min。

3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：步驟2）中，所述還原的條件如下：

氫氣的流速為100～300sccm；

溫度為700～900℃；

時間為10~20分鐘。

4.權利要求1-3中任一項所述方法制備的（n，n-1）型碳納米管水平陣列。