[發明專利]包括子共源極的非易失性存儲器裝置

有效

• 申請號: 201611044291.X
• 申請日: 2016-11-24
• 公開（公告）號: CN107358973B
• 公開（公告）日: 2021-12-14
• 發明（設計）人: 吳星來;金鎮浩;成象鉉
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C5/02
• 分類號: G11C5/02;G11C5/06;G11C16/08;G11C16/24;H01L27/06
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩;李娟娟

1.一種非易失性存儲器裝置，其包括：

存儲塊，其包括多個單元串，其中所述多個單元串的每個包括與堆疊在襯底上方的字線電聯接的存儲器單元；

多個子共源極；以及

多個位線組，每個位線組包括多個位線，

其中所述存儲塊包括對應于所述多個子共源極的多個子塊，每個子塊包括電聯接到相同位線組中的位線的多個單元串，

其中所述子共源極的每個對應于所述多個單元串的單元串子集并電聯接到相應單元串子集內的每個單元串的第一端，

每個位線組對應于每個單元串子集，每個位線電聯接到相應單元串子集內的一個或多個單元串的第二端，

其中包括在相同子塊中的單元串子集電聯接到包括在相同位線組中的位線，并且包括在不同子塊中的單元串子集電聯接到包括在不同位線組中的位線，使得在擦除操作中將擦除電壓僅施加到所述多個子共源極之中的與所選擇子塊相對應的子共源極，并且僅將所述多個位線組之中的與所選擇子塊相對應的位線組中的位線浮置，從而禁止未選擇子塊被擦除。

2.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中所述子塊的每個包括電聯接到相同子共源極的單元串子集，并且包括在不同子塊中的單元串子集電聯接到不同子共源極，

其中所述單元串的每個包括串聯連接在對應位線和對應子共源極之間的至少一個漏極選擇晶體管、多個存儲器單元和至少一個源極選擇晶體管，并且

其中在擦除操作中，擦除電壓被施加到所述多個子共源極中對應于選擇的子塊的子共源極，并且未選擇的擦除電壓被施加到所述多個子共源極中對應于未選擇的子塊的子共源極。

3.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中通過將擦除電壓單獨地施加到所述子共源極，擦除操作以子塊為單位被執行。

4.根據權利要求3所述的非易失性存儲器裝置，其中，在所述擦除操作中，所述擦除電壓被施加到所述多個子共源極中對應于選擇的子塊的子共源極，并且未選擇的擦除電壓被施加到所述多個子共源極中對應于未選擇的子塊的子共源極。

5.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中所述子共源極在字線方向上布置。

6.根據權利要求2所述的非易失性存儲器裝置，

其中所述位線包括至少一個奇數位線和至少一個偶數位線，

其中所述位線組包括第一位線組和第二位線組，所述第一位線組包括所述至少一個奇數位線，所述第二位線組包括所述至少一個偶數位線，并且

其中所述子塊包括：

第一子塊，其包括電聯接在所述第一位線組的至少一個奇數位線和所述多個子共源極中的第一子共源極之間的單元串；以及

第二子塊，其包括電聯接在所述第二位線組的至少一個偶數位線和所述多個子共源極中的第二子共源極之間的單元串。

7.根據權利要求6所述的非易失性存儲器裝置，其中所述子共源極包括：

第一子共源極，其與所述第一子塊的單元串電聯接；以及

第二子共源極，其與所述第二子塊的單元串電聯接。

8.根據權利要求7所述的非易失性存儲器裝置，

其中所述第一子共源極包括多個第一段，并且所述第二子共源極包括多個第二段，以及

其中所述第一段和所述第二段在位線方向上交替地設置。

9.根據權利要求8所述的非易失性存儲器裝置，其進一步包括：

縫隙，其穿過所述存儲塊并暴露所述第一段和所述第二段。

10.根據權利要求9所述的非易失性存儲器裝置，其進一步包括：

第一源極線和第二源極線，其設置在所述存儲塊上方；

第一接觸插塞，其設置在暴露所述第一段的縫隙中，并電聯接所述第一段和所述第一源極線；以及

第二接觸插塞，其設置在暴露所述第二段的縫隙中，并電聯接所述第二段和所述第二源極線。